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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要：本发明公开了一种LTCC基板内埋实心金属墙屏蔽结构的制备方法，包括：生瓷微缝隙加工：在生瓷上制备出实心金属墙屏蔽结构所需要的微缝隙；生瓷整体覆膜保护：对带有微缝隙的生瓷进行整体覆膜保护；微缝隙浆料填充：对生瓷上的微缝隙进行金属浆料填充；生瓷脱膜：对多层生瓷进行脱膜，并对多余的金属浆料进行修平；生瓷叠层与层压：通过LTCC常规工艺对多层生瓷进行叠层，并通过温水等静压方式进行层压，形成具有内埋实心金属墙屏蔽结构的LTCC电路胚体；电路胚体烧结：对LTCC电路胚体进行共烧，最终形成具有内埋实心金属墙屏蔽结构的LTCC电路基板。本发明能够大幅提升基板内部相邻射频通道之间，尤其在高频段的隔离度。
主权项：1.一种LTCC基板内埋实心金属墙屏蔽结构的制备方法，其特征在于，包括：生瓷微缝隙加工：在生瓷上制备出实心金属墙屏蔽结构所需要的微缝隙；生瓷整体覆膜保护：对带有微缝隙的生瓷进行整体覆膜保护；微缝隙浆料填充：对生瓷上的微缝隙进行金属浆料填充；生瓷脱膜：对多层生瓷进行脱膜，并对多余的金属浆料进行修平；生瓷叠层与层压：通过LTCC即低温共烧陶瓷常规工艺对多层生瓷进行叠层，并通过温水等静压方式进行层压，形成具有内埋实心金属墙屏蔽结构的LTCC电路胚体；电路胚体烧结：对LTCC电路胚体进行共烧，最终形成具有内埋实心金属墙屏蔽结构的LTCC电路基板。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种LTCC基板内埋实心金属墙屏蔽结构的制备方法
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