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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本申请提供了一种静电放电防护结构及静电放电防护电路，位于衬底一侧的中间半导体层；中间半导体层包括第一阱区和分别位于第一阱区两端的第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区，第一N型重掺杂区用于连接电源负极，第一P型重掺杂区用于连接电源正极；位于中间半导体层远离衬底一侧的第一埋氧层；位于第一埋氧层远离衬底一侧的顶层半导体层；顶层半导体层包括第二阱区和分别位于第二阱区两端的第二重掺杂区；第二重掺杂区分别用于连接电源负极和电源正极；位于顶层半导体层的第二阱区远离衬底一侧的半导体材料层。通过金属‑氧化物半导体场效应晶体管和二极管的并联，在相同芯片面积的情况下，可增加电流泄放能力，提升该器件结构静电放电鲁棒性。
主权项：1.一种静电放电防护结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧的中间半导体层；所述中间半导体层包括第一阱区和分别位于所述第一阱区两端的第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区；所述第一N型重掺杂区用于连接电源负极，所述第一P型重掺杂区用于连接电源正极；位于所述中间半导体层远离所述衬底一侧的第一埋氧层；位于所述第一埋氧层远离所述衬底一侧的顶层半导体层；所述顶层半导体层包括第二阱区和分别位于所述第二阱区两端的第二重掺杂区；所述第二重掺杂区用于分别连接所述电源负极和所述电源正极；位于所述顶层半导体层的所述第二阱区远离所述衬底一侧的半导体材料层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种静电放电防护结构及静电放电防护电路
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