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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本申请公开了一种具有光响应增强功能的量子点CCD图像传感器，包括：依次层叠设置的电荷转移电极层、复合栅介质层、电荷收集转移层、体硅层、量子点材料界面处理层、电子传输层、量子点吸收层、空穴传输层、透明电极。该量子点CCD图像传感器采取了全新技术途径实现了光子吸收及转换功能，不仅能更好地满足近红外光响应增强，通过改变该量子点CCD图像传感器中量子点吸收层的量子点材料种类，还能实现更宽范围的光谱响应。本申请还提供了该量子点CCD图像传感器的制作方法，工艺简单，制作原材料来源广，制作成本低，适合大规模制作。
主权项：1.一种具有光响应增强功能的量子点CCD图像传感器，其特征在于，包括：依次层叠设置的电荷转移电极层、复合栅介质层、电荷收集转移层、体硅层、量子点材料界面处理层、电子传输层、量子点吸收层、空穴传输层及透明电极，其中，所述电荷转移电极层包括分别与所述复合栅介质层接触的第一掺杂多晶硅电极、绝缘层及第二掺杂多晶硅电极，所述绝缘层将所述第一掺杂多晶硅电极、所述第二掺杂多晶硅电极相互隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种光响应增强功能的量子点CCD图像传感器及制作方法
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