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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司

摘要：一种用于真空处理设备的密封装置和真空处理设备，其中，用于真空处理设备的密封装置包括：第一部件，所述第一部件包括第一面，所述第一面上具有第一陶瓷层；第二部件，所述第二部件包括第二面，所述第二面与第一面相对；位于所述第一陶瓷层表面的第一聚合物密封涂层；位于所述第一部件与第二部件之间的密封部件，所述密封部件与第一聚合物密封涂层和第二陶瓷层接触。所述密封装置具有低漏率和高抗腐蚀性的特点。

主权项：1.一种用于真空处理设备的密封装置，其特征在于，包括：第一部件，所述第一部件包括第一面，所述第一面上具有第一陶瓷层，所述第一陶瓷层的材料为阳极氧化层，所述阳极氧化层中有裂纹；第二部件，所述第二部件包括第二面，所述第二面与第一面相对；位于所述第一陶瓷层表面的第一聚合物密封涂层，所述第一聚合物密封涂层的材料包括：聚四氟乙烯或者聚酰亚胺；位于所述第一部件与第二部件之间的密封部件，所述密封部件与第一聚合物密封涂层和第二部件接触。

全文数据：用于真空处理设备的密封装置和真空处理设备技术领域本发明涉及半导体刻蚀领域中的阳极氧化层结构设计，具体涉及一种用于真空处理设备的密封装置和真空处理设备。背景技术半导体器件的生产过程中需要在各种各样的半导体生产设备中完成，其中，半导体生产设备包括真空处理设备，所述真空处理设备是指在真空或者减压状态下处理半导体基片的处理设备。对于所述真空处理设备来说，气密性至关重要，因此，对真空处理设备中的密封装置的气密性要求较高。然而，现有用于真空处理设备的密封装置的性能较差。发明内容本发明解决的技术问题是提供一种用于真空处理设备的密封装置和真空处理设备，以提高用于真空处理设备的密封装置的性能。为解决上述技术问题，本发明提供一种用于真空处理设备的密封装置，包括：第一部件，所述第一部件包括第一面，所述第一面上具有第一陶瓷层；第二部件，所述第二部件包括第二面，所述第二面与第一面相对；位于所述第一陶瓷层表面的第一聚合物密封涂层；位于所述第一部件与第二部件之间的密封部件，所述密封部件与第一聚合物密封涂层和第二部件接触。可选的，还包括：位于所述第二面上的第二陶瓷层；位于所述第二陶瓷层表面的第二聚合物密封涂层，所述密封部件与第一聚合物密封涂层和第二聚合物密封涂层接触。可选的，所述真空处理设备包括：由反应腔侧壁围成的真空反应腔，所述反应腔侧壁包括承载面；环形内衬，所述环形内衬包括侧壁保护环及将所述侧壁保护环固定在所述反应腔侧壁的承载环，所述承载面用于承载所述承载环；位于所述真空反应腔上的顶盖。可选的，所述第一部件为反应腔侧壁、承载环和顶盖中的一个，所述第二部件为反应腔侧壁、承载环和顶盖中的一个，且所述第一部件与所述第二部件相对设置。可选的，所述真空处理设备包括：背板，所述背板具有贯穿背板的进气口；气体分布板，所述气体分布板与背板相对设置，所述气体分布板内具有贯穿气体分布板的出气口；所述第一部件为背板，所述第二部件为气体分布板，所述密封部件位于背板与气体分布之间。可选的，所述第一陶瓷层和第二陶瓷层均为阳极氧化层。可选的，所述第一部件和第二部件的材料均包括铝；所述阳极氧化层的材料包括：三氧化二铝。可选的，所述第一聚合物密封涂层的材料包括：聚四氟乙烯或者聚酰亚胺；所述第二聚合物密封涂层的材料包括：聚四氟乙烯或者聚酰亚胺。可选的，所述第一部件内还包括凹槽，所述密封部件位于所述凹槽内。可选的，所述密封部件包括：丁腈橡胶密封圈、氢化丁腈橡胶密封圈、硅橡胶密封圈或者氟硅橡胶密封圈。可选的，所述第一部件包括第一区和位于第一区周围的第二区，所述第一区的第一聚合物密封涂层与密封部件接触；所述第一区第一陶瓷层的粗糙度小于第二区第一陶瓷层的粗糙度。可选的，所述第二部件包括第三区和位于第三区周围的第四区，所述第三区的第二聚合物密封涂层与密封部件接触；所述第三区第二陶瓷层的粗糙度小于第四区第二陶瓷层的粗糙度。本发明还提供一种真空处理设备，包括：由反应腔侧壁围成的真空反应腔，所述真空反应腔侧壁包括承载面；环形内衬，所述环形内衬包括侧壁保护环及将所述侧壁保护环固定在所述反应腔侧壁的承载环，所述承载面用于承载所述承载环，所述承载环包括与承载面相对的第一密封面；位于所述第一密封面上的第一陶瓷层以及位于所述第一陶瓷层表面的第一聚合物密封涂层；位于所述承载环与所述反应腔侧壁之间的第一密封部件，所述第一密封部件与所述第一聚合物密封涂层接触；进气单元，用于向所述真空反应腔内提供反应气体；抽真空装置，用于维持所述真空反应腔内的真空环境。可选的，还包括：位于所述承载面上的第二陶瓷层及位于所述第二陶瓷层表面的第二聚合物密封涂层；所述第一密封部件与第一聚合物密封涂层和第二聚合物密封涂层接触。可选的，所述承载环还包括与第一密封面相对的第二密封面；位于所述第二密封面的第三陶瓷层以及位于第三陶瓷层表面的第三聚合物密封涂层；位于所述真空反应腔上的顶盖，所述顶盖与所述承载环的第二密封面相对设置；位于所述承载环的第二密封面与所述顶盖之间的第二密封部件，所述第二密封部件与第三聚合物密封涂层接触。可选的，所述承载环内具有气体扩散槽，所述第二密封面暴露出所述气体扩散槽；所述气体扩散槽的内外分别设置第二密封部件。可选的，所述反应腔侧壁包括：第一侧壁部和位于第一侧壁部上的第二侧壁部，所述第二侧壁部的顶部为承载面。可选的，所述第二侧壁部包括第三密封面，所述第三密封面朝向第一侧壁部；位于所述第三密封面的第四陶瓷层和位于第四陶瓷层表面的第四聚合物密封涂层；位于所述第一侧壁部与第二侧壁部之间的第三密封部件，所述第三密封部件与第四聚合物密封涂层接触。可选的，所述第一侧壁部包括第四密封面，所述第四密封面与第三密封面相对；还包括：位于第四密封面的第五陶瓷层和位于第五陶瓷层表面的第五聚合物密封涂层；所述第三密封部件与第四聚合物密封涂层和第五聚合物密封涂层接触。可选的，还包括：等离子体发生单元，用于使所述反应气体解离为等离子体。可选的，所述侧壁保护环与反应腔侧壁之间具有间隙。可选的，所述反应气体包括腐蚀性气体，所述腐蚀性气体与反应腔侧壁和环形内衬能够发生化学反应。可选的，还包括：加热器，用于对所述环形内衬进行加热。本发明还提供一种真空处理设备，包括：背板，所述背板具有贯穿所述背板的进气口；气体分布板，所述气体分布板与背板相对设置，所述气体分布板具有贯穿气体分布板的出气口；位于所述背板朝向气体分布板表面的第一陶瓷层和位于所述第一陶瓷层表面的第一聚合物密封涂层；位于所述背板与气体分布板之间的密封部件，所述密封部件与第一聚合物密封涂层接触。与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：本发明技术方案提供的用于真空处理设备的密封装置中，所述第一部件表面具有第一陶瓷层。当所述用于真空处理设备的密封装置在高温环境下工作时，尽管所述第一陶瓷层易发生开裂，但是，由于所述第一陶瓷层表面具有第一聚合物密封涂层，所述第一聚合物密封涂层在高温环境下不易发生开裂，使得第一聚合物密封涂层与密封部件的接触面积较大，因此，有利于降低密封部件与第一部件之间的漏率。并且，所述第一聚合物密封涂层位于所述第一部件上，因此，所述第一聚合物密封涂层能够对第一部件进行保护，防止第一部件受到损伤。综上，所述用于真空处理设备的密封装置不仅能够降低漏率，还能够降低对第一部件的损伤。进一步，所述第一聚合物密封涂层的材料包括聚四氟乙烯。聚四氟乙烯不易挥发，使得第一聚合物密封涂层的质量不会随着时间的推移发生变化，使得第一聚合物密封涂层的密封性不受时间的限制，则所述真空处理设备的密封装置的漏率在较长的时间内都较低；另外，聚四氟乙烯不具有吸附性，且聚四氟乙烯本身不易掉屑，使得所述第一聚合物密封涂层结构不易给密封装置带来额外的污染；此外，聚四氟乙烯具有较强的耐腐蚀性，使得腐蚀性离子不易穿过第一聚合物密封涂层到达第一部件，因此，有利于降低对第一部件造成损伤。进一步，还包括：位于所述第二面上的第二陶瓷层，所述第二陶瓷层表面具有第二聚合物密封涂层，所述聚合物密封涂层在高温环境下不易发生开裂，使得第二聚合物密封涂层与密封部件之间的接触面积较大，因此，有利于降低第二部件与密封部件之间的漏率。并且，所述第二聚合物密封涂层位于第二部件上，因此，所述第二聚合物密封涂层能够对第二部件进行保护，防止第二部件受到损伤。进一步，所述第二聚合物密封涂层的材料包括聚四氟乙烯。聚四氟乙烯不易挥发，使得第二聚合物密封涂层的质量不会随着时间的推移发生变化，使得第二聚合物密封涂层的密封性不受时间的限制，则所述真空处理设备的密封装置的漏率在较长的时间内都较低；另外，聚四氟乙烯不具有吸附性，且聚四氟乙烯本身不易掉屑，使得所述第二聚合物密封涂层结构不易给用于真空处理设备的密封装置带来额外的污染；此外，聚四氟乙烯具有较强的耐腐蚀性，使得腐蚀性离子不易穿过第二聚合物密封涂层到达第二部件，因此，有利于降低对第二部件造成损伤。进一步，所述第一部件包括第一区，所述第一区的第一聚合物密封涂层与密封部件接触，且所述第一区第一陶瓷层的粗糙度较小，使得第一区第一聚合物密封涂层表面的粗糙度较小，则所述第一区第一聚合物密封涂层与密封部件之间的接触面积较大，因此，有利于进一步降低第一部件与密封部件的漏率。进一步，所述第二部件包括第三区，所述第三区的第二聚合物密封涂层与密封部件接触，且所述第三区第二陶瓷层的粗糙度较小，使得第三区第二聚合物密封涂层表面的粗糙度较小，则所述第三区第二聚合物密封涂层与密封部件之间的接触面积较大，因此，有利于进一步降低第二部件与密封部件的漏率。附图说明图1为一种用于真空处理设备的密封装置的结构示意图；图2为另一种用于真空处理设备的密封装置的结构示意图；图3为本发明一种真空处理设备的结构示意图；图4为本发明另一种真空处理设备的结构示意图。具体实施方式正如背景技术所述，现有用于真空处理设备的密封装置的性能较差，以下进行详细说明：图1为一种用于真空处理设备的密封装置的结构示意图。请参考图1，用于真空处理设备的密封装置包括：第一部件100，所述第一部件100包括第一面1，所述第一面1上具有第一陶瓷层103；第二部件101，所述第二部件101包括第二面2，所述第二面2与第一面1相对，所述第二面2上具有第二陶瓷层104；位于所述第一面1和第二面2之间的密封部件102，所述密封部件102覆与第一陶瓷层103和第二陶瓷层104接触。上述用于真空处理设备的密封装置中，所述第一部件100的材料包括铝，所述第一陶瓷层103的材料包括三氧化二铝，所述第一陶瓷层103用于保护第一部件100，防止第一部件100被腐蚀；同样的，所述第二部件101的材料包括铝，所述第二陶瓷层104的材料包括三氧化二铝，所述第二陶瓷层104用于保护第二部件101，防止第二部件101被腐蚀。然而，受实际工艺的限制，第一陶瓷层103内不可避免的存在裂纹，使得第一陶瓷层103表面的粗糙度较大。并且，当所述用于真空处理设备的密封装置在高温环境下，第一陶瓷层103内的裂纹易扩展，使得第一陶瓷层103表面的粗糙度进一步增大，使得所述第一陶瓷层103与密封部件102之间的接触面积较小，使得第一陶瓷层103与密封部件102之间易发生漏气，即：漏率较高。同样的，受实际工艺的限制，第二陶瓷层104内不可避免的存在裂纹，使得第二陶瓷层104表面的粗糙度较大。并且，所述用于真空处理设备的密封装置在高温环境下，第二陶瓷层104内的裂纹易扩展，使得第二陶瓷层104面的粗糙度进一步增大，使得所述第二陶瓷层104与密封部件102之间的接触面积较小，使得第二陶瓷层104与密封部件102之间易发生漏气，即：漏率较高。上述密封装置中，所述第一部件100和第二部件101内均不具有凹槽，为了降低漏率问题，一种解决方法是：对第一陶瓷层103朝向密封部件102的表面进行平坦化处理；对第二陶瓷层104朝向密封部件102的表面进行平坦化处理。对第一陶瓷层103朝向密封部件102的表面进行平坦化处理，使得第一陶瓷层103朝向密封部件102表面的粗糙度较小，使得第一陶瓷层103与密封部件102的接触面积较大，因此，有利于降低第一陶瓷层103与密封部件102之间的漏率；同样的，对第二陶瓷层104朝向密封部件102的表面进行平坦化处理，有利于降低第二陶瓷层104与密封部件102之间的漏率。然而，对第一陶瓷层103朝向密封部件102的表面进行平坦化处理难以精确控制，若所述第一陶瓷层103被完全平坦化去除，使得第一部件100被暴露出，则后续等离子体对第一部件100造成损伤；同样的，对第二陶瓷层104朝向密封部件102的表面进行平坦化处理难以精确控制，若所述第二陶瓷层104被完全平坦化去除，使得第二部件101被暴露出，则后续等离子体对第二部件101造成损伤。综上，所述用于真空处理设备的密封装置难以同时满足低漏率和高耐腐蚀性的要求。图2为另一种用于真空处理设备的密封装置的结构示意图。图2与图1的不同点仅在于：所述第一部件200内具有凹槽图中未标出，所述第一面1暴露出所述凹槽，所述密封部件102位于所述凹槽内。虽然所述第一陶瓷层201朝向密封部件102的表面较粗糙，但是，由于所述第一陶瓷层201位于凹槽内，使得难以对第一陶瓷层201朝向密封部件102的表面进行平坦化。然而，所述第一陶瓷层201朝向密封部件102表面的粗糙度较大，使得第一陶瓷层201与密封部件102之间的接触面积较小，使得第一陶瓷层201与密封部件102之间的漏率较高。综上，上述两种用于真空处理设备的密封装置均难以同时满足低漏率和高抗腐蚀性的要求。为了解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种用于真空处理设备的密封装置，包括：第一部件，所述第一部件包括第一面，所述第一面上具有第一陶瓷层；第二部件，所述第二部件包括第二面，所述第二面与第一面相对；位于所述第一陶瓷层表面的第一聚合物密封涂层；位于所述第一部件与第二部件之间的密封部件，所述密封部件与第一聚合物密封涂层和第二部件接触。所述用于真空处理设备的密封装置能够同时满足低漏率和高抗腐蚀的要求。为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。图3是本发明一种真空处理设备的结构示意图。请参考图3，由反应腔侧壁300围成的真空反应腔图中未标出，所述真空反应腔侧壁300包括承载面A；环形内衬301，所述环形内衬301包括侧壁保护环301a及将所述侧壁保护环301a固定在所述反应腔侧壁300的承载环301b，所述承载面A用于承载所述承载环301b，所述承载环301b包括与承载面A相对的第一密封面B1；位于所述第一密封面B1上的第一陶瓷层302以及位于所述第一陶瓷层302表面的第一聚合物密封涂层303；位于所述承载环301b与所述反应腔侧壁300之间的第一密封部件304，所述第一密封部件304与所述第一聚合物密封涂层303接触；进气单元图中未示出，用于向所述真空反应腔内提供反应气体；抽真空装置图中未示出，用于维持所述真空反应腔内的真空环境。在本实施例中，所述真空处理设备为等离子体刻蚀设备，所述真空处理设备还包括位于所述真空反应腔上的顶盖305；等离子体发生单元图中未示出，用于使所述反应气体解离为等离子体。所述等离子发生单元包括位于所述顶盖305上的电感线圈图中未示出；连接所述电感线圈的射频电源。所述反应气体包括腐蚀性气体，所述腐蚀性气体能够与反应腔侧壁300和环形内衬301的基体材料发生化学反应。在本实施例中，所述反应腔侧壁300和环形内衬301的基体材料均包括铝；所述反应气体包括含卤素的气体。在本实施例中，所述第一部件为反应腔侧壁300、承载环301b和顶盖305中的一个，所述第二部件为反应腔侧壁300、承载环301b和顶盖305中的一个，且所述第一部件与所述第二部件相对设置。由于所述承载环301b的基体材料包括铝，所述等离子体易对与铝发生反应，因此，所述等离子体易对承载环301b的第一密封面B1造成损伤，为了防止对承载环301b的第一密封面B1造成损伤，在所述承载环301b的第一密封面B1形成第一陶瓷层302。所述第一陶瓷层302的材料包括：阳极氧化层，所述阳极氧化层包括三氧化二铝。受实际工艺的限制，所述第一陶瓷层302内不可避免的存在裂纹。所述真空处理设备还包括：加热器图中未示出，所述加热器用于对环形内衬301进行加热。当所述加热器在工作时，所述环形内衬301的温度较高。由于所述第一陶瓷层302位于承载环301b的第一密封面B1上，因此，所述第一陶瓷层302在加热器工作时也处于高温环境。然而，所述第一陶瓷层302在高温环境下易发生开裂产生多个裂纹，如果裂纹的两端开口分别与真空环境和大气环境联通，即使得会大气环境中的气体通过该裂纹进入真空环境，产生漏气现象，影响真空环境中的气体控制，同时，使得第一陶瓷层302表面的粗糙度较大，第一密封部件304与第一陶瓷层302之间密封效果较差。并且，当加热器在开启状态与关闭状态之间发生切换时，所述第一陶瓷层302更易发生开裂，使得第一陶瓷层302表面的粗糙度更大，使得第一密封部件304与第一陶瓷层302之间的密封效果更差，漏气更严重。所述第一聚合物密封涂层303位于所述第一陶瓷层302表面，使得所述第一聚合物密封涂层303表面的粗糙度较低。并且，所述第一聚合物密封涂层303在高温环境下以及高温环境与常温环境下进行切换时均不易发生开裂，能够很好的实现对易产生裂纹的第一陶瓷层进行密封，防止大气环境中的气体通过第一陶瓷层302的裂缝泄露到真空环境中。同时，还使得第一聚合物密封涂层303与第一密封部件304的接触面积较大，因此，有利于降低承载环301b与反应腔侧壁300之间的漏率较低。并且，所述第一聚合物密封涂层303位于承载环301b的第一密封面B1上，因此，所述第一聚合物密封涂层303能够对承载环301b进行保护防止，防止承载环301b受到损伤。所述第一聚合物密封涂层303的材料包括：特氟龙Teflon。在本实施例中，所述特氟龙为聚四氟乙烯。选择所述聚四氟乙烯作为第一聚合物密封涂层303的意义在于：选择聚四氟乙烯材料作为第一聚合物密封涂层303的意义在于：聚四氟乙烯耐高温，使得用于真空处理设备的密封装置在高温环境下，第一聚合物密封涂层303不易发生开裂，则所述第一聚合物密封涂层303的表面较平坦，使得所述第一聚合物密封涂层303与第一密封部件304的接触面积较大，有利于减少第一聚合物密封涂层303与第一密封部件304之间发生漏气，因此，有利于降低漏率；并且，聚四氟乙烯不易挥发，使得第一聚合物密封涂层303的质量不会随着时间的推移发生变化，使得第一聚合物密封涂层303的密封性不受时间的限制，则用于真空处理设备的密封装置的漏率在较长的时间内都较低；另外，聚四氟乙烯不具有吸附性，且聚四氟乙烯本身不易掉屑，使得所述第一聚合物密封涂层303不易给密封装置带来额外的污染；此外，聚四氟乙烯具有较强的耐腐蚀性，使得腐蚀性离子不易穿过第一聚合物密封涂层303到达承载环301b，因此，有利于降低对承载环301b的损伤。在其他实施例中，所述第一聚合物密封涂层的材料包括聚酰亚胺。在本实施例中，所述反应腔侧壁内具有凹槽图中未标出，且所述承载面A暴露出所述凹槽，所述第一密封部件304位于所述凹槽内。在其他实施例中，所述承载面平坦。在本实施中，还包括：在所述承载面A上形成第二陶瓷层306及位于所述第二陶瓷层306表面的第二聚合物密封涂层307；所述第一密封部件304与第一聚合物密封涂层303和第二聚合物密封涂层307接触。在其他实施例中，不形成所述第二聚合物密封涂层；所述第一密封部件与第一聚合物密封涂层和第二陶瓷层接触。在本实施例中，所述第二陶瓷层306的材料与第一陶瓷层的材料相同，在此不作赘述。在其他实施例中，所述第二陶瓷层与第一陶瓷层的材料不同。所述第二陶瓷层306用于保护反应腔侧壁300的承载面A，防止等离子体对承载面A造成损伤。在本实施例中，所述第二聚合物密封涂层307与第一聚合物密封涂层303的材料相同。在其他实施例中，所述第二聚合物密封涂层与第一聚合物密封涂层的材料不同。所述第二聚合物密封涂层307用于提高反应腔侧壁300与第一密封部件304之间的密封效果，有利于降低漏率。并且，由于所述第二聚合物密封涂层307位于承载面A上，因此，所述第二聚合物密封涂层307能够对反应腔侧壁300进行保护，防止对反应腔侧壁300造成损伤。在本实施例中，所述承载环301b还包括与第一密封面B1相对的第二密封面B2，所述承载环301b内具有气体扩散槽图中未标出，所述第二密封面B2暴露出所述气体扩散槽；位于所述第二密封面B2的第三陶瓷层308以及位于第三陶瓷层308表面的第三聚合物密封涂层309，所述顶盖305与所述承载环301b的第二密封面B2相对设置；分别位于所述气体扩散槽内外的第二密封部件310，所述第二密封部件310与第三聚合物密封涂层309接触。在其他实施例中，所述承载环内不具有气体扩散槽；在所述承载环第二密封面与顶盖之间增加进气部件；所述进气部件与承载环之间、以及进气部件与顶盖之间均形成所述第三聚合物密封涂层，所述进气部件与承载环之间、以及进气部件与顶盖之间均设置所述第二密封部件。在本实施例中，所述第三陶瓷层308的材料与第一陶瓷层302的材料相同，在此不作赘述。在其他实施例中，所述第三陶瓷层与第一陶瓷层的材料不同。所述第三陶瓷层308用于保护承载环301b的第二密封面B2，防止等离子体对第二密封面B2造成损伤。在本实施例中，所述第三聚合物密封涂层309与第一聚合物密封涂层303的材料相同。在其他实施例中，所述第三聚合物密封涂层与第一聚合物密封涂层的材料不同。所述第三聚合物密封涂层309用于提高承载环301b与第二密封部件310之间的密封效果，有利于降低漏率。并且，由于所述第三聚合物密封涂层309位于第二密封面B2上，因此，所述第三聚合物密封涂层309能够对承载环301b的第二密封面B2进行保护，防止对承载环301b的第二密封面B2造成损伤。在本实施例中，所述反应腔侧壁300包括第一侧壁部300a和位于第一侧壁部300a上的第二侧壁部300b，所述第二侧壁部300b的顶部为承载面A。在本实施例中，所述第二侧壁部300b包括第三密封面B3，所述第三密封面B3朝向第一侧壁部300a；位于所述第三密封面B3的第四陶瓷层311和位于第四陶瓷层311表面的第四聚合物密封涂层312；位于所述第一侧壁部300a与第二侧壁部300b之间的第三密封部件313，所述第三密封部件313与第四聚合物密封涂层311接触。在其他实施例中，不形成所述第四聚合物密封涂层。在本实施例中，所述第四陶瓷层311与第一陶瓷层302的材料相同。在其他实施例中，所述第四陶瓷层与第一陶瓷层的材料不同。所述第四陶瓷层311用于保护第三密封面B3，防止等离子体对第三密封面B3造成损伤。在本实施例中，所述第四聚合物密封涂层312与第一聚合物密封涂层303的材料相同。在其他实施例中，所述第四聚合物密封涂层与第一聚合物密封涂层的材料不同。所述第四聚合物密封涂层312用于提高第二侧壁部300b与第一侧壁部300a之间的密封效果，有利于降低漏率。并且，由于所述第四聚合物密封涂层312位于第三密封面B3上，因此，所述第四聚合物密封涂层312能够对第三密封面B3进行保护，防止对第二密封面B3造成损伤。在本实施例中，所述第一侧壁部300a包括第四密封面B4，所述第四密封面B4与第三密封面B3相对；还包括：位于第四密封面B4的第五陶瓷层图中未标出和位于第五陶瓷层表面的第五聚合物密封涂层图中未标出；所述第三密封部件313与第四聚合物密封涂层312和第五聚合物密封涂层接触。在其他实施例中，不形成所述第五聚合物密封涂层。在本实施例中，所述第五陶瓷层与第一陶瓷层的材料和作用相同，在此不作赘述。在本实施例中，所述第五聚合物密封涂层与第一聚合物密封涂层的材料和作用相同，在此不作赘述。在其他实施例中，所述第一侧壁部与第二侧壁部为一体，则所述第一侧壁部与第二侧壁部之间不设置第三密封部件。图4为本发明另一种真空处理设备的结构示意图。请参考图4，背板400，所述背板400具有贯穿所述背板400的进气口401；气体分布板402，所述气体分布板402与背板400相对设置，所述气体分布板402具有贯穿气体分布板402的出气口图中未示出；位于所述背板400朝向气体分布板402表面的第一陶瓷层404和位于所述第一陶瓷层404表面的第一聚合物密封涂层405；位于所述背板400与气体分布板402之间的密封部件403，所述密封部件403与第一聚合物密封涂层405接触。在本实施例中，所述真空处理设备包括气体喷淋头。在本实施例中，所述背板400作为第一部件，所述气体分布板402作为第二部件。在本实施例中，所述背板400的材料包括铝；所述气体分布板402的材料包括陶瓷。在本实施例中，所述密封部件403、背板400和气体分布板402围成空腔，所述背板400具有贯穿背板400的进气口401，所述进气口4014与空腔连通。所述密封部件403用于防止空腔内的气体由空腔内泄漏至外界。所述第一陶瓷层404的材料与上述实施例中所述第一陶瓷层的材料相同。所述第一陶瓷层404用于保护背板400朝向气体分布板402的表面。所述第一聚合物密封涂层405的材料与上述实施例相同，在此不作赘述。尽管所述第一陶瓷层404的表面粗糙度较高，但是所述第一聚合物密封涂层405位于所述第一陶瓷层404表面，所述第一聚合物密封涂层405表面的粗糙度较小，使得第一聚合物密封涂层405与密封部件403的接触面积较大，有利于降低背板400与密封部件403之间发生漏气，即：有利于降低漏率。并且，所述第一聚合物密封涂层405位于背板400朝向气体分布板402的表面，因此，所述第一聚合物密封涂层405能够对背板400朝向气体分布板402的表面进行保护。虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

权利要求：1.一种用于真空处理设备的密封装置，其特征在于，包括：第一部件，所述第一部件包括第一面，所述第一面上具有第一陶瓷层；第二部件，所述第二部件包括第二面，所述第二面与第一面相对；位于所述第一陶瓷层表面的第一聚合物密封涂层；位于所述第一部件与第二部件之间的密封部件，所述密封部件与第一聚合物密封涂层和第二部件接触。2.如权利要求1所述用于真空处理设备的密封装置，其特征在于，还包括：位于所述第二面上的第二陶瓷层；位于所述第二陶瓷层表面的第二聚合物密封涂层，所述密封部件与第一聚合物密封涂层和第二聚合物密封涂层接触。3.如权利要求1所述用于真空处理设备的密封装置，其特征在于，所述真空处理设备包括：由反应腔侧壁围成的真空反应腔，所述反应腔侧壁包括承载面；环形内衬，所述环形内衬包括侧壁保护环及将所述侧壁保护环固定在所述反应腔侧壁的承载环，所述承载面用于承载所述承载环；位于所述真空反应腔上的顶盖。4.如权利要求3所述用于真空处理设备的密封装置，其特征在于，所述第一部件为反应腔侧壁、承载环和顶盖中的一个，所述第二部件为反应腔侧壁、承载环和顶盖中的一个，且所述第一部件与所述第二部件相对设置。5.如权利要求1所述用于真空处理设备的密封装置，其特征在于，所述真空处理设备包括：背板，所述背板具有贯穿背板的进气口；气体分布板，所述气体分布板与背板相对设置，所述气体分布板内具有贯穿气体分布板的出气口；所述第一部件为背板，所述第二部件为气体分布板，所述密封部件位于背板与气体分布之间。6.如权利要求2所述用于真空处理设备的密封装置，其特征在于，所述第一陶瓷层和第二陶瓷层均为阳极氧化层。7.如权利要求6所述用于真空处理设备的密封装置，其特征在于，所述第一部件和第二部件的材料均包括铝；所述阳极氧化层的材料包括：三氧化二铝。8.真空处理设备如权利要求2所述用于真空处理设备的密封装置，其特征在于，所述第一聚合物密封涂层的材料包括：聚四氟乙烯或者聚酰亚胺；所述第二聚合物密封涂层的材料包括：聚四氟乙烯或者聚酰亚胺。9.如权利要求1所述用于真空处理设备的密封装置，其特征在于，所述第一部件内还包括凹槽，所述密封部件位于所述凹槽内。10.如权利要求1所述用于真空处理设备的密封装置，其特征在于，所述密封部件包括：丁腈橡胶密封圈、氢化丁腈橡胶密封圈、硅橡胶密封圈或者氟硅橡胶密封圈。11.如权利要求1所述用于真空处理设备的密封装置，其特征在于，所述第一部件包括第一区和位于第一区周围的第二区，所述第一区的第一聚合物密封涂层与密封部件接触；所述第一区第一陶瓷层的粗糙度小于第二区第一陶瓷层的粗糙度。12.如权利要求2所述用于真空处理设备的密封装置，其特征在于，所述第二部件包括第三区和位于第三区周围的第四区，所述第三区的第二聚合物密封涂层与密封部件接触；所述第三区第二陶瓷层的粗糙度小于第四区第二陶瓷层的粗糙度。13.一种真空处理设备，其特征在于，包括：由反应腔侧壁围成的真空反应腔，所述真空反应腔侧壁包括承载面；环形内衬，所述环形内衬包括侧壁保护环及将所述侧壁保护环固定在所述反应腔侧壁的承载环，所述承载面用于承载所述承载环，所述承载环包括与承载面相对的第一密封面；位于所述第一密封面上的第一陶瓷层以及位于所述第一陶瓷层表面的第一聚合物密封涂层；位于所述承载环与所述反应腔侧壁之间的第一密封部件，所述第一密封部件与所述第一聚合物密封涂层接触；进气单元，用于向所述真空反应腔内提供反应气体；抽真空装置，用于维持所述真空反应腔内的真空环境。14.如权利要求13所述真空处理设备，其特征在于，还包括：位于所述承载面上的第二陶瓷层及位于所述第二陶瓷层表面的第二聚合物密封涂层；所述第一密封部件与第一聚合物密封涂层和第二聚合物密封涂层接触。15.如权利要求13所述真空处理设备，其特征在于，所述承载环还包括与第一密封面相对的第二密封面；位于所述第二密封面的第三陶瓷层以及位于第三陶瓷层表面的第三聚合物密封涂层；位于所述真空反应腔上的顶盖，所述顶盖与所述承载环的第二密封面相对设置；位于所述承载环的第二密封面与所述顶盖之间的第二密封部件，所述第二密封部件与第三聚合物密封涂层接触。16.如权利要求15所述真空处理设备，其特征在于，所述承载环内具有气体扩散槽，所述第二密封面暴露出所述气体扩散槽；所述气体扩散槽的内外分别设置第二密封部件。17.如权利要求13所述真空处理设备，其特征在于，所述反应腔侧壁包括：第一侧壁部和位于第一侧壁部上的第二侧壁部，所述第二侧壁部的顶部为承载面。18.如权利要求17所述真空处理设备，其特征在于，所述第二侧壁部包括第三密封面，所述第三密封面朝向第一侧壁部；位于所述第三密封面的第四陶瓷层和位于第四陶瓷层表面的第四聚合物密封涂层；位于所述第一侧壁部与第二侧壁部之间的第三密封部件，所述第三密封部件与第四聚合物密封涂层接触。19.如权利要求18所述真空处理设备，其特征在于，所述第一侧壁部包括第四密封面，所述第四密封面与第三密封面相对；还包括：位于第四密封面的第五陶瓷层和位于第五陶瓷层表面的第五聚合物密封涂层；所述第三密封部件与第四聚合物密封涂层和第五聚合物密封涂层接触。20.如权利要求13所述真空处理设备，其特征在于，还包括：等离子体发生单元，用于使所述反应气体解离为等离子体。21.如权利要求13所述真空处理设备，其特征在于，所述侧壁保护环与反应腔侧壁之间具有间隙。22.如权利要求13所述真空处理设备，其特征在于，所述反应气体包括腐蚀性气体，所述腐蚀性气体与反应腔侧壁和环形内衬能够发生化学反应。23.如权利要求13所述真空处理设备，其特征在于，还包括：加热器，用于对所述环形内衬进行加热。24.一种真空处理设备，其特征在于，包括：背板，所述背板具有贯穿所述背板的进气口；气体分布板，所述气体分布板与背板相对设置，所述气体分布板具有贯穿气体分布板的出气口；位于所述背板朝向气体分布板表面的第一陶瓷层和位于所述第一陶瓷层表面的第一聚合物密封涂层；位于所述背板与气体分布板之间的密封部件，所述密封部件与第一聚合物密封涂层接触。

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