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申请/专利权人：成都凯天电子股份有限公司
摘要：本发明提出了一种MEMS硅压阻式压力传感器及其制备方法，通过设置硅衬底层、发热Pt电阻层、金属Al热沉结构层和压阻器件层，为MEMS硅压阻芯片提供一个稳定的温度场，利用恒温温度场系统将MEMS敏感元件与外界温度场相隔离，从而在本质上达到解决MEMS压阻式压力传感器的温漂过大的问题。通过本发明可以实现温度隔离，使得传感器的测量更精准，且能适用于更大温度范围的场景，并减小了温度漂移等带来的误差。
主权项：1.一种MEMS硅压阻式压力传感器，其特征在于，包括从下到上依次设置的硅衬底层（1）、发热Pt电阻层（2）、金属Al热沉结构层（3）、压阻器件层（4）；在所述硅衬底层（1）的底部设置有压力感受腔体（13）；在所述发热Pt电阻层（2）内设置环形均匀分布的Pt电阻；在所述硅衬底层（1）、发热Pt电阻层（2）、金属Al热沉结构层（3）上围绕环形均匀分布的Pt电阻（22）外侧设置用于应力缓冲的悬臂梁结构（6）；在所述金属Al热沉结构层（3）、压阻器件层（4）上位于环形均匀分布的Pt电阻在（22）上端处设置多个通孔（5）；压阻器件层（4）通过压阻效应来测量电阻随外界压力的变化，且通过通孔（5）分别与发热Pt电阻层（2）上的Pt电阻（22）的发热正向电极VCC+（23）、发热负向电极VCC-（24）连接；将Pt电阻（22）作为传感器的恒温发热结构，并通过通孔（5）搭接压阻器件层（4）的压敏电阻金属引线（44）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都凯天电子股份有限公司 一种MEMS硅压阻式压力传感器及其制备方法
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