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申请/专利权人：苏州大学

摘要：本实用新型公开一种带短路保护自锁的过流检测电路，包括：运放集成芯片U1A、第一控制晶体管Q1以及第二控制晶体管Q2；第一控制晶体管Q1用于短路保护输出控制；第二控制晶体管Q2用于短路保护自锁解除控制。本实用新型能够实时检测输出电流并触发保护电路动作，当电池输出端负载发生短路时，能够有效的切断输出电源并进行保护锁定，直到负载端短路源移除后并发送解除保护指令才能够恢复到正常状态，提高产品使用的安全性，以避免锂电池出现安全问题。

主权项：1.带短路保护自锁的过流检测电路，其特征在于，包括：运放集成芯片U1A、第一控制晶体管Q1以及第二控制晶体管Q2；所述第一控制晶体管Q1用于短路保护输出控制；所述第二控制晶体管Q2用于短路保护自锁解除控制；所述运放集成芯片U1A的正向输入端通过限流电阻R1与电池包输出接口负极P-电连接、与第二控制晶体管Q2电连接、与整流二极管D1的负极电连接；所述运放集成芯片U1A的反向输入端通过限流电阻R2接地，通过反馈电阻R3与运放集成芯片U1A的输出端电连接；所述运放集成芯片U1A的输出端通过限流电阻R4与系统的放电电流检测端电连接，同时，其输出端通过限流电子R4、稳压二极管DZ1与第一控制晶体管Q1电连接；所述稳压二极管DZ1的负极分别与限流电阻R4的一端、系统的放电电流检测端电连接，其正极分别与整流二极管D1的正极、第一控制晶体管Q1电连接；所述限流电阻R1与电池包输出接口负极P-电连接的一端与检流电阻RS1的一端电连接，所述限流电阻R2接地的一端与检流电阻RS1的另一端电连接；所述第一控制晶体管Q1为N沟道MOSFET管；所述第一控制晶体管Q1的栅极通过电阻R5与稳压二极管DZ1的正极电连接、通过电阻R6接地；所述第一控制晶体管Q1的源极接地；所述第一控制晶体管Q1的漏极通过电阻R7与系统的短路保护输出控制检测端电连接；所述第二控制晶体管Q2为N沟道MOSFET管；所述第二控制晶体管Q2的栅极分别通过电阻R10接地、通过电阻R9与系统的短路保护自锁解除控制端电连接，当需要解除短路保护自锁状态时，短路保护自锁解除控制端输入高电平信号；所述第二控制晶体管Q2的源极接地；所述第二控制晶体管Q2的漏极与整流二极管D1的负极电连接、与运放集成芯片U1A的正向输入端电连接；所述整流二极管D1的正极通过电阻R8与稳压二极管DZ1的正极电连接，同时所述整流二极管D1的正极通过电阻R8与电阻R5电连接。

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权利要求：

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