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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件包括：栅电极结构，包括在垂直于衬底的上表面的第一方向上间隔开的栅电极，每个栅电极在平行于衬底的上表面的第二方向上延伸；存储沟道结构；以及支撑图案阵列，包括在第二方向和与第二方向交叉的第三方向上间隔开的支撑图案，其中，每个支撑图案具有包括三个顶点和三条边的形状，以及其中，第一支撑图案的最靠近第二支撑图案的第一顶点和第二支撑图案的最靠近第一支撑图案的第一顶点在第三方向上不对准，而是在第二方向上具有不同的位置。
主权项：1.一种半导体器件，包括：栅电极结构，在衬底上包括栅电极，所述栅电极在基本上垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开，每个所述栅电极在基本上平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上延伸；存储沟道，在所述衬底上延伸穿过所述栅电极结构；支撑图案阵列，包括多个支撑图案，每个所述支撑图案在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极结构，所述支撑图案在所述第二方向和第三方向上彼此间隔开，所述第三方向基本上平行于所述衬底的所述上表面并且与所述第二方向交叉，其中，每个所述支撑图案在平面图中具有包括三个顶点和连接所述三个顶点的三条边的形状以形成三角形，所述三条边中的至少一条边是朝向所述三角形的外部的凸曲线，其中，所述支撑图案阵列包括沿所述第三方向彼此相邻的第一支撑图案和第二支撑图案，以及其中，所述第一支撑图案的所述顶点之中的最靠近所述第二支撑图案的第一顶点和所述第二支撑图案的所述顶点之中的最靠近所述第一支撑图案的第一顶点在所述第三方向上不对准，而是在所述第二方向上具有彼此不同的位置。
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