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申请/专利权人：南开大学深圳研究院;南开大学
摘要：本发明为一种塑性可调的石墨烯纳米带基突触晶体管及其制备方法。该突触晶体管的结构自下而上分别为衬底、半导体层、源漏电极和离子胶栅介电层；所述半导体为宽度可调的石墨烯纳米带阵列。本发明可以有效调控石墨烯的带隙，使其在应用中表现出不同的电学特性，克服了石墨烯零带隙的固有局限，促进了石墨烯纳米带在神经形态电子领域的实际应用，丰富了石墨烯材料的应用领域，可以得到可塑性调节范围较大的石墨烯纳米带基人工突触器件。
主权项：1.一种塑性可调的石墨烯纳米带基突触晶体管，其特征为该突触晶体管的结构自下而上分别为衬底、半导体层、源漏电极和离子胶栅介电层；其中，衬底为生长有氧化层的硅片SiSiO2衬底；所述半导体为宽度可调的石墨烯纳米带阵列；石墨烯纳米带宽度范围为100～800nm，厚度0.7-2.5nm；长度为10～15mm；纳米带间距为100～2000μm；所述源漏电极为蒸镀的金电极，厚度为40～80nm；所述离子胶栅介电层的材质为[PVDF-HFP][EMIM-TFSI]，厚度为100～500μm。
全文数据：
权利要求：
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