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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

摘要：本发明涉及光电技术领域，公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述有源层包括至少一组交替层叠的长波量子阱层和长波量子垒层、至少一组交替层叠的中波量子阱层和中波量子垒层和至少一组交替层叠的短波量子阱层和短波量子垒层。本发明提供的发光二极管外延片提高量子阱层晶体质量，降低量子阱层极化效应，提高载流子在量子阱辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。

主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；所述有源层包括至少一组交替层叠的长波量子阱层和长波量子垒层、至少一组交替层叠的中波量子阱层和中波量子垒层和至少一组交替层叠的短波量子阱层和短波量子垒层；所述长波量子阱层包括依次层叠的第一N型氮化物层、第一In组分渐变的InGaN层、第一In组分恒定的InGaN层和第一高温盖层；所述中波量子阱层包括依次层叠的第二N型氮化物层、第二In组分渐变的InGaN层、第二In组分恒定的InGaN层和第二高温盖层；所述短波量子阱层包括依次层叠的第三N型氮化物层、第三In组分渐变的InGaN层、第三In组分恒定的InGaN层和第三高温盖层；所述第一N型氮化物层为N型GaN层、N型AlGaN层、N型AlInGaN层、N型InGaN层、N型BGaN层、N型BInGaN层中的一种；所述第一In组分渐变的InGaN层的In组分沿生长方向由低至高渐变；所述第一In组分恒定的InGaN层的In组分为0.16~0.19；所述第一高温盖层为GaN层、AlGaN层、AlInGaN层、InGaN层、BGaN层、BInGaN层中的一种；所述第二N型氮化物层为N型GaN层、N型AlGaN层、N型AlInGaN层、N型InGaN层、N型BGaN层、N型BInGaN层中的一种；所述第二In组分渐变的InGaN层的In组分沿生长方向由低至高渐变；所述第二In组分恒定的InGaN层的In组分为0.13~0.16；所述第二高温盖层为GaN层、AlGaN层、AlInGaN层、InGaN层、BGaN层、BInGaN层中的一种；所述第三N型氮化物层为N型GaN层、N型AlGaN层、N型AlInGaN层、N型InGaN层、N型BGaN层、N型BInGaN层中的一种；所述第三In组分渐变的InGaN层的In组分沿生长方向由低至高渐变；所述第三In组分恒定的InGaN层的In组分为0.1~0.13；所述第三高温盖层为GaN层、AlGaN层、AlInGaN层、InGaN层、BGaN层、BInGaN层中的一种。

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