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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明涉及光电技术领域，公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，所述Micro‑LED外延片包括衬底，所述衬底上依次设有N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层、第一P型空穴注入层、第一P型半导体层、第二P型空穴注入层、第二P型半导体层、P型欧姆接触层；所述第二P型空穴注入层的生长温度高于所述第一P型空穴注入层的生长温度；所述第二P型半导体层的生长温度高于所述第一P型半导体层的生长温度。本发明提供的Micro‑LED外延片提高P型半导体层的空穴注入效率并改善多量子阱发光层区域电子空穴浓度的匹配度，从而提高Micro‑LED芯片在低工作电流密度下的光效。
主权项：1.一种Micro-LED外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层、第一P型空穴注入层、第一P型半导体层、第二P型空穴注入层、第二P型半导体层、P型欧姆接触层；所述第二P型空穴注入层的生长温度高于所述第一P型空穴注入层的生长温度；所述第二P型半导体层的生长温度高于所述第一P型半导体层的生长温度；所述第一P型空穴注入层包括依次层叠的第一AlGaN层、AlN层、第一AlInGaN层、第二AlInGaN层、第二AlGaN层和GaN层；所述第一P型半导体层为Mg掺杂AlInGaN层；所述第二P型空穴注入层为AlGaNInGaN超晶格层；所述第二P型半导体层为Mg掺杂GaN层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED
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