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一种Micro LED微显示阵列芯片及微型投影系统 

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申请/专利权人:天津工业大学

摘要:本发明公开了一种MicroLED微显示阵列芯片及微型投影系统,属于半导体微显示技术领域,包括由四块独立的三棱镜拼接而成的正方体合色棱镜组,分别为绿光入射棱镜、红光入射棱镜、蓝光入射棱镜和出光棱镜;贴装在合色棱镜组入光面的MicroLED微显示阵列芯片,包括绿色MicroLED微显示阵列芯片、红色MicroLED微显示阵列芯片和蓝色MicroLED微显示阵列芯片;位于合色棱镜组出光面外侧且与出光棱镜光轴重合的光投影部;本发明解决了MicroLED微显示芯片的三基色图像合成的全彩图像模糊、像素间光串扰过大、巨量转移成品率较低和电极占用面积过大的技术问题。

主权项:1.一种MicroLED微显示阵列芯片,其特征在于,包括衬底2-1,位于所述衬底2-1上表面的缓冲层2-2,位于所述缓冲层2-2上表面的共N极高掺杂导电层2-3,位于所述共N极高掺杂导电层2-3上表面的N型电子注入层2-4,位于所述N型电子注入层2-4上表面的多量子阱有源区2-5,位于所述多量子阱有源区2-5上表面的P型空穴注入层2-6,位于所述P型空穴注入层2-6上表面的透明电极层2-7,填充在所述MicroLED微显示阵列芯片共N极高掺杂导电层2-3两端的上表面和单个像素之间的绝缘层2-8,位于所述透明电极层2-7两端的共P接触电极2-9,填充在所述共P接触电极2-9下表面、穿过所述衬底2-1和绝缘层2-8的P极通孔内部的共P极金属导电层2-10,位于所述共P极金属导电层2-10下表面的共P极通孔电极2-11,填充在所述共N极高掺杂导电层2-3两端的下表面、穿过所述缓冲层2-2和衬底2-1的N极通孔内部的共N极金属导电层2-12,位于所述共N极金属导电层2-12下表面的共N极通孔电极2-13,位于阵列上表面生长的透光保护层2-14。

全文数据:

权利要求:

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