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申请/专利权人：惠州市力合智能技术有限公司
摘要：本发明涉及一种应变式传感器温度自补偿的方法，该方法包括通过调整应变计基底膜材料的线膨胀系数，使其与弹性体的线膨胀系数、敏感栅的线膨胀系数以及敏感栅的电阻温度系数满足公式：αt＝Kβg‑βe和βb＝βe；其中，所述应变计基底膜材料为以高分子聚合物为基体、导热材料为填充物的复合材料，所述应变计基底膜材料线膨胀系数通过控制应变计基底膜材料中所含填充物体积来调整。本发明的方法建立在电阻温度系数法基础上，通过调节应变计基底膜线膨胀系数，几乎可以得到任一线膨胀系数，进一步平抑应变计热输出，可以达到更精准的温度自补偿效果，还可以有效兼顾应变计的温度自补偿和传感器材料的弹性模量自补偿。
主权项：1.一种应变式传感器温度自补偿的方法，其特征在于，包括：通过调整应变计基底膜材料的线膨胀系数，使其与弹性体的线膨胀系数、敏感栅的线膨胀系数以及敏感栅的电阻温度系数满足如下公式：αt＝Kβg-βeβb＝βe其中，αt—敏感栅箔材的电阻温度系数，ppm℃；βg—敏感栅箔材的线膨胀系数，1℃；βe—弹性体的线膨胀系数，1℃；K—应变计的灵敏系数；βb—应变计基底膜材料的线膨胀系数，1℃；所述应变计基底膜材料为以高分子聚合物为基体、导热材料为填充物的复合材料，所述应变计基底膜材料的线膨胀系数通过控制应变计基底膜材料中所含填充物的体积进行调整；所述应变计基底膜材料的填充物体积可通过下式计算：Vbn＝Vpiβe-βpiβbn-βe其中，Vbn—填充物的体积，cm3；Vpi—高分子聚合物的体积，cm3；βbn—填充物的线膨胀系数，1℃；βpi—高分子聚合物的线膨胀系数，1℃；βe—弹性体的线膨胀系数，1℃。
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