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申请/专利权人：芯聚威科技(成都)有限公司
摘要：本发明涉及一种温度计码到二进制码的转换装置，应用于动态比较器输出，所述转换装置包括译码电路和与所述译码电路电连接的校正电路。所述译码电路包括PMOS管M1、PMOS管M2、反相器A2和译码逻辑，所述校正电路包括PMOS管M3、PMOS管M4和互补译码逻辑，所述PMOS管M1的漏极分别与所述PMOS管M2的漏极、PMOS管M3的栅极、反相器A2的输入端、译码逻辑的输出节点A相连接，所述PMOS管M3的漏极分别与PMOS管M4的漏极、PMOS管M1的栅极、互补译码逻辑的输出节点B相连接，所述动态比较器的输出分别与所述译码逻辑和互补译码逻辑相连。本发明能够有效降低由于动态比较器输出抖动可能出现的瞬时译码错误以及降低整体电路的工作功耗。
主权项：1.一种温度计码到二进制码的转换装置，应用于动态比较器输出，其特征在于，所述转换装置包括译码电路和与所述译码电路电连接的校正电路；其中，所述译码电路包括PMOS管M1、PMOS管M2、反相器A2和译码逻辑，所述校正电路包括PMOS管M3、PMOS管M4和互补译码逻辑，所述PMOS管M1的漏极分别与所述PMOS管M2的漏极、PMOS管M3的栅极、反相器A2的输入端、译码逻辑的输出节点A相连接，所述PMOS管M3的漏极分别与PMOS管M4的漏极、PMOS管M1的栅极、互补译码逻辑的输出节点B相连接，所述动态比较器的输出分别与所述译码逻辑和互补译码逻辑相连；所述PMOS管M2的栅极连接至外部复位电压CLKR，所述PMOS管M1的源极和PMOS管M2的源极均与电源电压VDD相连；所述PMOS管M4的栅极连接至外部复位电压CLKR，PMOS管M3的源极和PMOS管M4的源极均与电源电压VDD相连；所述反相器A2的输出端与输出电压VOUT相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯聚威科技(成都)有限公司 一种温度计码到二进制码的转换装置
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