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申请/专利权人：长沙理工大学
摘要：本发明公开了一种导电型碳化硅晶片表面引流储液增强电化学辅助微细磨削方法，属于精密加工领域，具体包括激光加工、电化学辅助微细磨削两个工序；所述激光加工分为清洗、图案化设计和轰击点阵三个步骤，通过激光脉冲轰击工件表面形成圆坑阵列，作为电化学反应的微小引流储液容器；所述电化学辅助微细磨削分为电解液配制、晶片固定、电路连接、引流储液、电化学反应和微细磨削六个步骤，通过阳极氧化在工件表面形成软化层；进一步的，表面圆坑阵列通过引流储液功能，实现工件与电解液定域接触，提升电化学反应速率，加速表面软化层的形成，减少磨削力，并避免非加工面氧化、微裂纹和边缘损伤等问题，以实现高质、高效和低损伤的精密加工效果。
主权项：1.一种导电型碳化硅晶片表面引流储液增强电化学辅助微细磨削方法，其特征在于，包括激光加工、电化学辅助微细磨削两个工序；S1激光加工：采用波长1064nm的皮秒级脉冲激光器，在碳化硅晶片表面轰击出圆坑阵列，作为电化学反应时电解液的微小引流通道和储液容器，同时减少磨削去除材料体积和机械应力；S2电化学辅助微细磨削：采用直流电源、电化学反应槽和微细磨削平台，在具有微小引流储液结构的碳化硅晶片表面，通过增强电化学原位氧化反应速率及比表面积，辅助金刚石微磨具进行微细磨削。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长沙理工大学 一种导电型碳化硅晶片表面引流储液增强电化学辅助微细磨削方法
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