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摘要：本发明涉及探测硅基晶圆表面氧化层内移动离子电荷浓度的方法，包括：将硅基晶圆放入氧化炉加热，使得硅基晶圆的正面产生二氧化硅氧化层；在氧化后的硅基晶圆的正面进行金属化，使硅基晶圆的正面沉积一层铝金属；采用光刻版对硅基晶圆正面的铝金属层依次进行匀胶、曝光、显影，再对铝金属层进行腐蚀，去胶后，在硅基晶圆的二氧化硅氧化层上留下若干个铝金属电极区；将硅基晶圆放入氢气合金炉内，通入氢气并加热，进行合金作业，得到测试件；将测试件的背面放在金属盘上，测试件正面朝上，用金属探针接触铝金属电极区，金属探针和金属盘分别接入电流电压仪表，测量得到电容‑电压曲线，确定二氧化硅氧化层内的移动离子浓度。
主权项：1.探测硅基晶圆表面氧化层内移动离子电荷浓度的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将圆形的硅基晶圆放入氧化炉内，进行加热，使得硅基晶圆的正面产生二氧化硅氧化层；S2：在氧化后的硅基晶圆的正面进行金属化工艺，使得硅基晶圆的正面沉积一层铝金属；S3：采用光刻版对硅基晶圆正面的铝金属层依次进行匀胶、曝光、显影，再对铝金属层进行腐蚀，去胶后，在硅基晶圆的二氧化硅氧化层上留下若干个铝金属电极区；S4：将步骤S3得到的硅基晶圆放入氢气合金炉内，通入氢气并加热，进行合金作业，完成二氧化硅氧化层与铝金属电极区之间的合金过程，使得两者致密性结合得更好，得到测试件；S5：将测试件的背面放在金属盘上，测试件的正面朝上，用金属探针接触铝金属电极区，金属探针和金属盘分别接入电流电压仪表，测量得到电容-电压曲线，进而确定二氧化硅氧化层内的移动离子浓度。
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百度查询： 江苏新顺微电子股份有限公司 探测硅基晶圆表面氧化层内移动离子电荷浓度的方法
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