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摘要：本发明公开了一种自支撑暴露110晶面的氧化铁纳米片阵列材料的制备及其在电催化硝酸根还原至氨的应用。所述催化剂包括导电自支撑载体及暴露110晶面的氧化铁纳米片阵列；所述氧化铁阵列通过水热法垂直生长在载体表面，并通过电化学还原原位重构得到暴露110晶面的纳米片阵列结构，其具备有利的电荷传输通道，并且暴露出更多的活性位点，暴露的110晶面有利于吸附中间物种，具有高效的电催化还原硝酸根至氨的性能，尤其在安培级电流密度下，依然达到95％以上的法拉第效率。本发明提供的自支撑暴露110晶面的氧化铁纳米片阵列制备方法简单，且原料廉价易得，具备快速规模化制备的优势。
主权项：1.一种用于电催化硝酸根还原合成氨的自支撑暴露特定晶面氧化铁阵列材料催化剂，其特征在于，所述催化剂包括导电自支撑载体和负载于载体表面的催化剂；所述催化剂组成为氧化铁；所属催化剂形貌为垂直于载体的纳米片阵列结构，暴露的晶面为110晶面。
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百度查询： 中国科学院大连化学物理研究所 一种自支撑的暴露特定晶面氧化铁阵列材料制备方法与应用
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