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摘要：本发明公开一种超快衰减时间的卤铋甲胺闪烁晶体及其生长方法，属于高能粒子射线探测技术领域。本发明涉及的闪烁晶体的化学式为：MA3Bi2ClxBryI1‑x‑y9，其中，MA+＝CH3NH3+，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。本发明晶体具有纳秒、亚纳秒量级的衰减时间，具有400‑500nm，600‑700nm两个主发射带，可以制成闪烁晶体器件，用于超快闪烁探测器；本发明提供的晶体生长方法，所需条件易于实现，操作简单，且生长体系中不含目标晶体以外的异质元素，且原料易得，价格便宜，生长条件温和。本发明闪烁晶体还可以用作半导体晶体，用于发光二极管、半导体型光电探测器等领域。

主权项：1.一种超快衰减时间的卤铋甲胺闪烁晶体，其特征在于，所述闪烁晶体的化学式为：MA3Bi2（ClxBryI1-x-y）9，其中，MA+=CH3NH3+，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1；所述晶体的制备方法，包括以下制备步骤：（1）将质量浓度为40wt.%-55wt.%的氢卤酸，加热至接近沸点，将甲胺源和铋源按照摩尔比MA+:Bi3+=3:2加入到氢卤酸溶液中，持续搅拌直至完全溶解，控制常压下析晶温度在55-85oC范围内，得到不饱和均一溶液；（2）将步骤（1）的不饱和均一溶液采用溶液降温法降温结晶，得到多晶体：（3）在晶体生长器中加入40wt.%-55wt.%的氢卤酸，加热至接近沸点，按照甲胺源和铋源按照摩尔比MA+:Bi3+=3:2，少量多次加入铋源并持续搅拌至完全溶解，再加入甲胺源搅拌至完全溶解；冷却至室温，然后将晶体生长器移入加热介质中加热至95oC±2oC，晶体生长器中放入空的聚四氟籽晶托，设置晶转速率为30rmin至沉淀完全重溶，将聚四氟籽晶托替换为铂金丝并轻触液面，降温，通过观察铂丝上出现结晶物后确认饱和温度T；（4）重新升温再次获得均一溶液，将铂丝重新更换为聚四氟籽晶托，在籽晶托上放置步骤（2）所得多晶体作为籽晶，并于饱和温度T以上1oC置入溶液中，恒温1h后，在2h内降温至饱和温度T，随后以0.001-5oCh的速率降温进行晶体生长，晶体生长温度为40-90oC，晶体生长结束之后，得到终产品MA3Bi2（ClxBryI1-x-y）9单晶体；制备方法中步骤（1）和步骤（3）接近沸点的温度为大于等于95℃，小于100℃。

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