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摘要：一种带有P型缓冲层和掩埋沟道区的III‑V族垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，传感器包括自下而上设置的衬底、漏区、缓冲层、沟道、源区和源极，漏区内嵌在沟道中形成掩埋结构，沟道底端两侧均设置有栅极氧化层，栅极氧化层远离沟道一侧设置有辅助金属栅，辅助金属栅上表面堆叠设置有隧穿金属栅，隧穿金属栅、辅助金属栅、栅极氧化层和沟道形成生物分子空腔，衬底的上表面两端还分别设置有漏极；通过外延生长技术在衬底上逐渐生成漏区、缓冲层、沟道和源区，随后利用ALD和刻蚀工艺生成栅极氧化层和生物分子空腔，最后利用沉积技术分别在对应区域表面生成隧穿金属栅、辅助金属栅、源极和漏极；具有较高传感能力及灵敏度，且功耗低。
主权项：1.一种带有P型缓冲层和掩埋沟道区的III-V族垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器，其特征在于：包括自下而上层叠设置的衬底5、漏区4、缓冲层3、沟道2、源区1和源极11，漏区1内嵌在沟道2中形成掩埋结构，并产生垂直隧穿场效应，沟道2底端两侧均设置有栅极氧化层7，每个栅极氧化层7远离沟道2的一侧均设置有辅助金属栅10，每个辅助金属栅10上表面均堆叠设置有隧穿金属栅9，隧穿金属栅9、辅助金属栅10、栅极氧化层7和沟道2围成生物分子空腔8，衬底5的上表面两端还分别设置有漏极6。
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百度查询： 西安电子科技大学 西安电子科技大学杭州研究院 一种带有P型缓冲层和掩埋沟道区的III-V族垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法
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