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摘要：一种配置用于降低输入和输出之间电压的集成电路IC器件，包括多个在横向方向上横向排列的交替掺杂区，并交替掺杂相反类型的掺杂剂。交替掺杂区包括输入漂移区和输出漂移区，每个漂移区都掺杂有第一类型的掺杂剂，其中输入漂移区连接到输入，并且输出漂移区连接到输出。交替掺杂区还包括栅极间区和隔离基板区的基板区，每个都掺杂有第二类型的掺杂剂，其中栅极间区横向介于输入和输出漂移区之间。
主权项：1.一种配置用于降低输入和输出之间的电压的集成电路IC器件，该IC器件包括：隔离基板区，形成在半导体基板中，同时在垂直和横向方向上与半导体基板电隔离，所述隔离基板区中形成有多个交替掺杂区，所述交替掺杂区在横向方向上横向排列，并交替掺杂相反类型的掺杂剂，所述交替掺杂区包括：输入漂移区和输出漂移区，每个都掺杂有第一类型的掺杂剂，其中所述输入漂移区连接到输入，并且所述输出漂移区连接到输出，栅极间区和隔离基板区的基板区，每个都掺杂有第二类型的掺杂剂，其中所述栅极间区横向介于所述输入和输出漂移区之间，以及在所述栅极间区内形成的重掺杂第一栅极区；其中所述输入漂移区被拉长以具有沿所述横向的第一横向长度，所述第一横向长度比所述栅极间区的第二横向长度长至少两倍。
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