买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

摘要：本发明公开了一种分裂字线的存内计算电路及存储器，涉及集成电路技术领域，在读取数据时，第一字线控制第一外侧读写开关导通，第二字线控制第一内侧写开关截止。第一位线通过第一虚拟存储节点读取数据。第一字线控制第二外侧读写开关导通，第三字线控制第二内侧写开关截止。第二位线通过第二虚拟存储节点读取数据。因第一真实存储节点存储的数据与第一虚拟存储节点存储的数据相同，第二真实存储节点存储的数据与第二虚拟存储节点存储的数据相同，所以读取第一虚拟存储节点、第二虚拟存储节点的数据即可。本申请在读取数据时，通过内侧写开关防止了位线与真实存储节点直接相连，导致真实存储节点抵制噪声的能力得到增强。

主权项：1.一种分裂字线的存内计算电路，其特征在于，所述存内计算电路包括：存储电路，所述存储电路用于存储数据；第一外侧读写开关和第一内侧写开关，所述第一外侧读写开关的控制端连接第一字线，所述第一外侧读写开关的两端分别连接所述第一内侧写开关的第一端和第一位线，所述存储电路的第一真实存储节点连接所述第一内侧写开关的第二端，所述第一内侧写开关的控制端连接第二字线；第一低电平开关和第一高电平开关，所述第一低电平开关的第一端接收低电平信号，所述第一高电平开关的第一端接收高电平信号，所述第一低电平开关的第二端连接所述第一高电平开关的第二端、所述存储电路的第一低电平输入端以及所述第一外侧读写开关与所述第一内侧写开关的连接端，以作为第一虚拟存储节点；在写入数据时，所述第一外侧读写开关和所述第一内侧写开关导通，第一位线将数据写入所述第一真实存储节点和所述第一虚拟存储节点；在读取数据时，所述第一外侧读写开关导通，所述第一内侧写开关截止，第一位线通过所述第一虚拟存储节点读取数据；第二外侧读写开关和第二内侧写开关，所述第二外侧读写开关的控制端连接第一字线，所述第二外侧读写开关的两端分别连接所述第二内侧写开关的第一端和第二位线，所述存储电路的第二真实存储节点连接所述第二内侧写开关的第二端，所述第二内侧写开关的控制端连接第三字线；第二低电平开关和第二高电平开关，所述第二低电平开关的第一端接收低电平信号，所述第二高电平开关的第一端接收高电平信号，所述第二低电平开关的第二端连接所述第二高电平开关的第二端、所述存储电路的第二低电平输入端以及所述第二外侧读写开关与所述第二内侧写开关的连接端，以作为第二虚拟存储节点；在写入数据时，所述第二外侧读写开关和所述第二内侧写开关导通，第二位线将数据写入所述第二真实存储节点和所述第二虚拟存储节点；在读取数据时，所述第二外侧读写开关导通，所述第二内侧写开关截止，第二位线通过所述第二虚拟存储节点读取数据；所述存内计算电路还包括两级灵敏放大电路和输出电路，所述两级灵敏放大电路包括第一级放大电路和第二级放大电路，所述第一级放大电路的输入侧连接所述第一位线和所述第二位线，所述第一级放大电路的输出侧连接所述第二级放大电路的输入侧，所述第二级放大电路的输出侧连接所述输出电路的输入端，所述输出电路用于输出存储电路输出的放大后的数据信号；所述第一级放大电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极连接电源，所述第一PMOS管的漏极连接所述第二级放大电路和所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极连接第一位线，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极连接第二位线，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极连接所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极接地；所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的源极连接电源，所述第四PMOS管的漏极连接所述第二级放大电路、所述第五NMOS管的漏极、第四PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极，所述第五NMOS管的栅极连接第二位线，所述第三PMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的栅极连接第一位线，所述第四NMOS管的源极和所述第五NMOS管的源极连接所述第六NMOS管的漏极，所述第六NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极均接收第一控制信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中科南京智能技术研究院 一种分裂字线的存内计算电路及存储器