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摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、电光调制器；所述半导体结构包括：第一光波导，沿第一方向延伸；所述第一光波导包括在第二方向上交替设置的第一掺杂区和第二掺杂区；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区接触形成多个PN结；所述第二方向与所述第一方向相交；第一电极以及第二电极；其中，所述第一光波导具有在所述第二方向上相对设置的第一侧和第二侧；所述第一侧为所述第一掺杂区，且与所述第一电极耦接；所述第二侧为所述第二掺杂区，且与所述第二电极耦接。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一光波导，沿第一方向延伸；所述第一光波导包括在第二方向上交替设置的第一掺杂区和第二掺杂区；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区接触形成多个PN结；所述第二方向与所述第一方向相交；第一电极以及第二电极；其中，所述第一光波导具有在所述第二方向上相对设置的第一侧和第二侧；所述第一侧为所述第一掺杂区，且与所述第一电极耦接；所述第二侧为所述第二掺杂区，且与所述第二电极耦接。
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百度查询： 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 半导体结构及其制作方法、电光调制器
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