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摘要：本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器及其制备方法。该O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器，包括硅衬底层，在硅衬底层上依次层叠有缓冲层、下波导层、下限制层、量子点有源层、上限制层、上波导层、欧姆接触层以及电极层；所述上波导层和欧姆接触层形成脊形波导和在脊形波导至少一侧的光栅；所述量子点有源层包括InAs量子点层InGaAs势垒层。本发明的O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器具有线宽窄，反射容忍度高，温度稳定性高，阈值电流密度低等优点。
主权项：1.一种O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器，其特征在于，包括硅衬底层，在硅衬底层上依次层叠有缓冲层、下波导层、下限制层、量子点有源层、上限制层、上波导层、欧姆接触层以及电极层；所述上波导层和欧姆接触层刻蚀成脊形波导和在脊形波导至少一侧的光栅；所述量子点有源层包括InAs量子点层InGaAs势垒层。
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百度查询： 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器及其制备方法
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