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摘要：本发明涉及一种半导体衬底及其形成方法。所述半导体衬底的形成方法包括如下步骤：提供初始单晶硅衬底，所述初始单晶硅衬底包括相对分布的正面和背面；形成图案化的阻挡层于所述初始单晶硅衬底的正面上，所述阻挡层中具有暴露所述初始单晶硅衬底的正面的沟槽；沿所述初始单晶硅衬底的正面注入氧离子至所述初始单晶硅衬底内，于所述初始单晶硅衬底内的局部区域形成埋氧化层，所述埋氧化层、所述埋氧化层正上方的所述初始单晶硅衬底和所述埋氧化层正下方的所述初始单晶硅衬底共同作为SOI结构。本发明使得仅在初始单晶硅衬底内的局部区域形成埋氧化层，以满足不同结构和功能的半导体器件的制造需求。
主权项：1.一种半导体衬底的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供初始单晶硅衬底，所述初始单晶硅衬底包括相对分布的正面和背面；形成图案化的阻挡层于所述初始单晶硅衬底的正面上，所述阻挡层中具有暴露所述初始单晶硅衬底的正面的沟槽；沿所述初始单晶硅衬底的正面注入氧离子至所述初始单晶硅衬底内，于所述初始单晶硅衬底内的局部区域形成埋氧化层，所述埋氧化层、所述埋氧化层正上方的所述初始单晶硅衬底和所述埋氧化层正下方的所述初始单晶硅衬底共同作为SOI结构。
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百度查询： 上海新傲科技股份有限公司 半导体衬底及其形成方法
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