龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明公开了一种热电优化设计的沟槽MOS型氧化镓功率二极管及制作方法，包括：β‑Ga2O3漂移层，位于β‑Ga2O3衬底的上表面；凹槽阵列，间隔分布于β‑Ga2O3漂移层上；凹槽阵列与β‑Ga2O3漂移层面内的[100]晶向分别呈一定角度布局；绝缘层，填充于凹槽阵列每一凹槽内，并覆盖于每一凹槽顶部侧边缘处的β‑Ga2O3漂移层上表面；场板终端，位于沟槽阵列有源区四周的β‑Ga2O3漂移层上表面，且场板终端为自内而外呈一定斜坡角度或呈台阶状分布的斜场板结构；阳极，位于绝缘层、β‑Ga2O3漂移层，以及部分场板终端上表面；阴极，位于β‑Ga2O3衬底下表面。本发明有效提高了氧化镓二极管的热电特性。
主权项：1.一种热电优化设计的沟槽MOS型氧化镓功率二极管，其特征在于，包括：β-Ga2O3衬底；β-Ga2O3漂移层，位于所述β-Ga2O3衬底的上表面；凹槽阵列，包括若干凹槽，间隔分布于所述β-Ga2O3漂移层上；所述凹槽阵列中每一凹槽宽度相同、彼此平行、间隔相同，且所述凹槽阵列的凹槽延伸方向与所述β-Ga2O3漂移层上表面内的[100]晶向呈60°～90°布局；绝缘层，填充于所述凹槽阵列的每一凹槽内，并覆盖于每一凹槽顶部侧边缘处的部分所述β-Ga2O3漂移层的上表面；场板终端，位于凹槽阵列有源区四周的所述β-Ga2O3漂移层的上表面，且所述场板终端为自内而外呈一定斜坡角度或呈台阶状分布的斜场板结构；阳极，位于所述绝缘层、所述β-Ga2O3漂移层，以及部分所述场板终端的上表面；阴极，位于所述β-Ga2O3衬底的下表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 热电优化设计的沟槽MOS型氧化镓功率二极管及制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号