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申请/专利权人：无锡华兴光电研究有限公司;江苏华兴激光科技有限公司
申请日：2024-09-26
公开（公告）日：2024-12-13
公开（公告）号：CN119125090A
专利技术分类：..光学激发的[2006.01]
专利摘要：本发明提供了一种泵浦探测光致发光的探测装置，该探测装置至少包括：光源、滤波器、第一凸透镜、斩波器、第一平面镜、半反半透透镜、承载有待测半导体样品的样品底座、泵浦系统、探测系统、光谱仪、锁相放大器；该探测装置利用具有位差的探测光线和泵浦光线照射至待测半导体样品的指定位置处，收集探测光线和泵浦光线照射至待测半导体样品所产生的散射光，从而获得待测半导体样品的光致发光信息，实现精确检测半导体材料的光致发光信息。
专利权项：1.一种泵浦探测光致发光的探测装置，其特征在于，所述探测装置至少包括：光源、滤波器、第一凸透镜、斩波器、第一平面镜、半反半透透镜、承载有待测半导体样品的样品底座、泵浦系统、探测系统、光谱仪、锁相放大器；所述光源，用于发射光束，使得所述光束通过所述滤波器和所述第一凸透镜射入所述斩波器；所述斩波器，用于为所述光束提供指定脉冲频率，使得具有指定脉冲频率的所述光束经过所述第一平面镜反射至所述半反半透透镜进行分光，得到射入所述探测系统的探测光线和射入所述泵浦系统的泵浦光线；所述探测系统，用于使得所述探测光线经过反射后照射至所述待测半导体样品的指定位置，以激发所述待测半导体样品的光致发光；所述泵浦系统，用于使得所述泵浦光线经过反射后照射至所述待测半导体样品的所述指定位置，其中，照射至所述待测半导体样品的所述探测光线和所述泵浦光线具有位差；所述光谱仪，用于收集所述探测光线和所述泵浦光线照射至所述待测半导体样品所产生的散射光，并对所述散射光进行分光处理；所述锁相放大器，用于提取分光处理后的所述散射光的信号幅值和相位信息。
百度查询： 无锡华兴光电研究有限公司 江苏华兴激光科技有限公司 一种泵浦探测光致发光的探测装置
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