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摘要：本申请实施例公开了一种相变存储器，涉及存储器技术领域，能够降低相变存储单元的温度对其周围的相变存储单元的写次数的影响，降低相变存储器的写操作过程中发生信号串扰几率，提高相变存储器的写次数，提高相变存储器的产品性能。相变存储器包括相变存储单元和隔热结构。相变存储单元至少包括相变存储层。相变存储单元至少包括相变存储层。隔热结构包括至少覆盖于所述相变存储单元侧壁上的第一隔热层、与所述第一隔热层间隔设置且背离所述相变存储单元侧壁方向的第二隔热层、以及所述第一隔热层与所述第二隔热层之间的第一间隙。
主权项：1.一种相变存储器，其特征在于，包括：相变存储单元，至少包括相变存储层；隔热结构，包括至少覆盖于所述相变存储单元侧壁上的第一隔热层、与所述第一隔热层间隔设置且背离所述相变存储单元侧壁方向的第二隔热层、以及所述第一隔热层与所述第二隔热层之间的第一间隙。
权利要求：
百度查询： 新存科技(武汉)有限责任公司 相变存储器
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