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申请/专利权人：株式会社力森诺科
申请日：2022-06-08
公开（公告）日：2024-12-20
公开（公告）号：CN119174000A
专利技术分类：.安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底[2006.01]
专利摘要：本公开的半导体装置的制造方法为具有配线层和绝缘层交替层叠而成的多层配线的半导体装置的制造方法，其中，在层叠方向上隔着所述绝缘层相邻的所述配线层之间介由存在于设置在所述绝缘层中的贯穿孔内的导体进行电连接，所述多层配线经过以下步骤而形成：在基体上设置表面上具有金属保护膜且含有平均最大粒子长度B为1μm～100μm的无机填充材料的所述绝缘层的步骤；在所述绝缘层中形成贯穿孔的步骤；以及对形成了所述贯穿孔的所述绝缘层进行干式除渣处理的步骤。
专利权项：1.一种半导体装置的制造方法，其为具有配线层和绝缘层交替层叠而成的多层配线的半导体装置的制造方法，其中，在层叠方向上隔着所述绝缘层相邻的所述配线层之间介由存在于设置在所述绝缘层中的贯穿孔内的导体进行电连接，所述多层配线经过以下步骤而形成：在基体上设置表面上具有金属保护膜且含有平均最大粒子长度B为1μm～100μm的无机填充材料的所述绝缘层的步骤；在所述绝缘层中形成贯穿孔的步骤；以及对形成了所述贯穿孔的所述绝缘层进行干式除渣处理的步骤。
百度查询： 株式会社力森诺科 半导体装置的制造方法及半导体装置
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