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申请/专利权人：森斯泰克有限公司

申请日：2022-05-10

公开（公告）日：2024-12-20

公开（公告）号：CN119173779A

专利技术分类：

专利摘要：本发明涉及一种矢量磁场传感器10、12、14，用于测量垂直于XY平面的至少一个Z磁场分量，所述XY平面中布置了四个磁敏电阻器R11、R12、R21、R22的惠斯通电桥配置V11、V12、V13、V21、V22、V23，所述电阻器中的两个形成所述惠斯通电桥结构的半桥R11‑R12、R21‑R22，每个半桥的所述电阻器对中的每个的Z分量磁灵敏度方向彼此相反，并且两个半桥的并联排列的电阻器的Z分量磁灵敏度方向彼此相反。建议每个电阻器包括串联连接的至少两个或更多个电阻器条带100、102、104、106、108、110，每个电阻器条带由沿条带路径30排列的多个TMR元件16的串联连接构成，铁磁磁通引导元件24紧邻每个电阻器条带的邻近地设置，所述磁通引导元件的轮廓线34遵循所述条带路径，成对地对角布置的电阻器R11‑R22、R12‑R21的TMR元件的平面内钉扎方向↑、↓朝向或远离所述轮廓线垂直取向，使得所述惠斯通电桥配置的两个半桥的传感器信号端子S+、S‑对Z磁场分量敏感。另一方面，本发明涉及所述矢量磁场传感器的制造方法。

专利权项：1.一种矢量磁场传感器10、12、14，用于测量垂直于XY平面的至少一个Z磁场分量，所述XY平面中布置有四个磁敏电阻器R11、R12、R21、R22的惠斯通电桥配置V11、V12V13、V21、V22、V23，所述电阻器R11、R12、R21、R22中的两个形成所述惠斯通电桥配置V11、V12V13、V21、V22、V23的半桥R11-R12、R21-R22，每个半桥R11-R12、R21-R22的所述电阻器R11、R12、R21、R22对中的每个的Z分量磁灵敏度方向彼此相反，并且两个半桥R11-R12、R21-R22的并联排列的电阻器R11、R12、R21、R22的Z分量磁灵敏度方向彼此相反，其特征在于，每个电阻器R11、R12、R21、R22包括至少两个或更多个串联连接的电阻器条带100、102、104、106、108、110，每个电阻器条带100、102、104、106、108、110由沿条带路径30排列的多个TMR元件16的串联连接组成，铁磁磁通引导元件24被设置在紧邻每个电阻器条带100、102、104、106、108、110的邻近处，所述磁通引导元件24的轮廓线34遵循所述条带路径30，并且成对地对角布置的电阻器R11-R22、R12-R21的TMR元件16的平面内钉扎方向↑、↓朝向或远离所述轮廓线34地垂直取向，使得所述惠斯通电桥配置V11、V12V13、V21、V22、V23的两个半桥R11-R12、R21-R22的传感器信号端子S+、S-对Z磁场分量敏感。

百度查询： 森斯泰克有限公司 矢量磁场传感器和矢量磁场传感器的制造方法