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申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2019-03-25
公开（公告）日：2024-12-20
公开（公告）号：CN119173046A
专利技术分类：
专利摘要：本申请涉及用于制造存储器装置的方法。本文中所描述的制造技术可有助于同时建置安置于交叉点架构中的两个或两个以上存储器胞元层。每一存储器胞元层可包含多个第一存取线例如字线、多个第二存取线例如位线及第一存取线与第二存取线的每一拓朴相交点处的存储器组件。所述制造技术可使用形成于复合堆叠的顶层处的通孔的图案，从而可有助于在使用缩减数目个处理步骤时在所述复合堆叠内建置3D存储器阵列。所述制造技术还可适于形成插槽区，在所述插槽区处，所述3D存储器阵列可与存储器装置的其它组件耦合。
专利权项：1.一种半导体制造的方法，其包括：形成延伸穿过堆叠到导电元件的贯通孔，所述堆叠包含第一电极；使所述贯通孔填充有导电材料；从所述贯通孔移除所述导电材料的一部分以曝露插入于所述贯通孔与所述第一电极之间的电介质缓冲器；移除所述电介质缓冲器以曝露所述第一电极；以及使所述贯通孔填充有所述导电材料以使所述第一电极与所述导电元件耦合，其中所述导电材料包括导电塞。
百度查询： 美光科技公司 用于制造存储器装置的方法
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