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申请/专利权人：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
申请日：2024-11-29
公开（公告）日：2024-12-31
公开（公告）号：CN119231308A
专利技术分类：..涂层[2006.01]
专利摘要：本申请涉及半导体激光器的技术领域，尤其是涉及一种高可靠性低噪声垂直激光器的制备工艺及结构，选用晶格方向为[100]2‑15°偏[110]的衬底；在衬底的层结构上刻蚀两个弧形沟槽，两个弧形沟槽的端部之间形成开口，且开口方向沿晶向[001]；对氧化限制层进行氧化，两个弧形沟槽中间形成类圆形的氧化孔；将钝化保护膜覆盖在开口处及器件表面；填充开口，通过开口位置连接金属圆环，将P极电流注入点引至外围区域；将发光区顶部的表面钝化层刻蚀出短、长轴比为1:1‑1:2的椭圆浮雕。开口设计朝向[001]晶格方向，器件最终氧化形状为类圆形，提高可靠性。将表面钝化膜刻蚀出椭圆浮雕,降低相对强度噪声，有效提高传输质量。
专利权项：1.一种高可靠性低噪声垂直激光器的制备工艺，其特征在于：包括，S1、选用晶格方向为[100]2-15°偏[110]的衬底（1）；S2、在衬底（1）的层结构上刻蚀有两个正对的弧形沟槽（14），两个弧形沟槽（14）的端部之间形成有开口（15），且开口（15）方向沿晶向[001]；S3、对层结构内的氧化限制层（7）进行氧化，两个弧形沟槽（14）中间形成类圆形的氧化孔（16）；S4、将钝化保护膜覆盖在开口处及器件表面形成表面钝化层（11）；S5、填充开口（15）形成介质填充层（10），同时通过开口（15）位置连接金属圆环，将P极电流注入点引至外围区域形成P面欧姆接触层（12）；S6、将发光区顶部的表面钝化层（11）刻蚀出短、长轴比为1:1-1:2的椭圆浮雕形成偏振控制层（13）。
百度查询： 无锡市华辰芯光半导体科技有限公司 一种高可靠性低噪声垂直激光器的制备工艺及结构
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