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一种高功率芯片的高可靠高散热的封装方法专利

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申请/专利权人:中国电子科技集团公司第五十八研究所

申请日:2024-12-02

公开(公告)日:2024-12-31

公开(公告)号:CN119230422A

专利技术分类:....半导体在容器中的安装[2006.01]

专利摘要:本发明属于集成电路封装技术领域,特别涉及一种高功率芯片的高可靠高散热的封装方法。包括如下步骤:提供硅晶圆,在所述硅晶圆的正面上用光刻工艺光刻出图形,再使用干法刻蚀工艺,刻蚀出空腔;提供异构芯片,将所述异构芯片使用高精度装片机填装于所述空腔中,并使用干膜材料将所述异构芯片与所述空腔之间的空隙填充满;在所述硅晶圆的正面,使用再布线工艺,形成钝化层、金属再布线层和导电通孔;使用划片工艺,将所述硅晶圆沿划片道进行划片。本发明将封装体的正背面和四周侧面均被包覆起来,确保封装体的可靠性。同时通过在芯片背面制作高导热系数的金属散热层作为散热通路,解决了芯片埋置于封装体内无法有效散热的问题。

专利权项:1.一种高功率芯片的高可靠高散热的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一:提供硅晶圆,在所述硅晶圆的正面上用光刻工艺光刻出图形,再使用干法刻蚀工艺,刻蚀出空腔;步骤二:提供异构芯片,将所述异构芯片使用高精度装片机填装于所述空腔中,并使用干膜材料将所述异构芯片与所述空腔之间的空隙填充满;步骤三:在所述硅晶圆的正面,使用再布线工艺,形成钝化层、金属再布线层和导电通孔;步骤四:使用划片工艺,将所述硅晶圆沿划片道进行划片,以形成单颗封装体;步骤五:将若干所述单颗封装体按需求阵列排布,通过塑封材料进行包覆塑封,以形成塑封载体;所述塑封载体采用树脂基圆片或树脂基方片作为树脂基底;步骤六:使用减薄工艺,减薄所述塑封载体的背面,露出所述异构芯片的背面;步骤七:在所述异构芯片的背面制作高导热系数的金属散热层;步骤八:在所述塑封载体正面露出的导电通孔上,使用植球工艺,植上焊球;最后采用划片工艺,将所述塑封载体沿划片道进行划片,以形成最终封装体。

百度查询: 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种高功率芯片的高可靠高散热的封装方法

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