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申请/专利权人：株式会社力森诺科
申请日：2023-05-01
公开（公告）日：2025-01-03
公开（公告）号：CN119256631A
专利技术分类：..用机械方法将导电材料去除的，例如通过穿孔[2006.01]
专利摘要：一种制造配线结构体的方法，其通过新颖的配线形成方法而制造配线结构体，所述配线形成方法包括如下工序：形成沟槽，所述沟槽具有包括基板表面的底面和包括抗蚀剂层表面的壁面；形成种子层，所述种子层包括在沟槽内从底面上的位置到壁面上的位置连续形成的沟槽内种子部；在种子层上形成金属镀层，所述金属镀层包括与沟槽内种子部一同填充沟槽的填充镀敷部；及去除抗蚀剂层，以使包括沟槽内种子部及填充镀敷部的配线残留。
专利权项：1.一种制造配线结构体的方法，其包括如下工序：在基板的一个主面上设置抗蚀剂层；将所述抗蚀剂层通过曝光及显影进行图案化，由此形成沟槽，该沟槽具有包括所述基板的表面的底面和包括所述抗蚀剂层的表面的壁面；形成种子层，所述种子层包括在所述沟槽内从所述底面上的位置到所述壁面上的位置连续形成的沟槽内种子部、以及设置于所述抗蚀剂层的与所述基板相反的一侧并与所述沟槽内种子部连续形成的沟槽外种子部；在所述种子层上形成金属镀层，所述金属镀层包括与所述沟槽内种子部一同填充所述沟槽的填充镀敷部和设置于所述沟槽外种子部上的部分；去除所述金属镀层的一部分及所述沟槽外种子部，以使所述抗蚀剂层露出且所述填充镀敷部残留；及从所述基板的所述主面上去除所述抗蚀剂层，以使包括所述沟槽内种子部及所述填充镀敷部的配线残留。
百度查询： 株式会社力森诺科 制造配线结构体的方法
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