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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日：2019-08-06
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN112349323B
专利技术分类：.....只使用场效应晶体管的[2006.01]
专利摘要：一种SRAM电路，所述SRAM电路包括：读单元以及写单元，其中：所述读单元，与所述写单元连接，包括至少一个负电容晶体管，适于读数据；所述写单元，与所述读单元连接，包括至少一个负电容晶体管，适于写数据；其中，所述读单元的至少一个负电容晶体管和所述写单元的至少一个负电容晶体管在SRAM电路中不对称设置。采用上述方案，可以提高SRAM的读写能力。
专利权项：1.一种SRAM电路，其特征在于，包括：读单元以及写单元，其中：所述读单元，与所述写单元连接，包括至少一个负电容晶体管，适于读数据；所述写单元，与所述读单元连接，包括至少一个负电容晶体管，适于写数据；其中，所述读单元的至少一个负电容晶体管和所述写单元的至少一个负电容晶体管在SRAM电路中不对称设置；所述读单元包括第一负电容晶体管以及第一NMOS管；所述写单元包括第二负电容晶体管以及第一PMOS管；所述SRAM电路还包括：第二PMOS管以及第二NMOS管；所述第一NMOS管，源极接第一位线，栅极接字线，漏极接所述第二PMOS管的漏极；所述第一负电容晶体管，栅极接所述第二PMOS管的栅极、所述第一PMOS管的漏极及所述第二NMOS管的源极，漏极接地；所述第二负电容晶体管的栅极接字线，漏极接第二位线；所述第一PMOS管，源极接电源电压，栅极接第二NMOS管的栅极、所述第二PMOS管的漏极及第一负电容晶体管的源极；所述第二NMOS管，漏极接地。
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 SRAM电路
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