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申请/专利权人：南京大学
申请日：2022-07-27
公开（公告）日：2025-01-14
公开（公告）号：CN115913161B
专利技术分类：.零部件[2006.01]
专利摘要：本发明提供基于氮化铝薄膜的声表面波脊状波导及集成器件。本发明的声表面波波导至少包括基底和压电薄膜，所述压电薄膜设置在所述基底上，所述压电薄膜的宽度不小于所述压电薄膜的厚度；所述压电薄膜包括压电材料；所述压电薄膜还包括脊状结构。本发明的声表面波波导在面内呈现近似的各向同性，当压电薄膜的延伸方向发生弯曲转角后，可以保证声表面波的传导模式基本不发生改变，从而减小声表面波的传导损耗。本发明的声表面波波导更利于得到高性能的集成声路，优选用于制备SAW分束器、环形谐振腔等集成声路的基本元件。
专利权项：1.一种声表面波波导，其特征在于，所述声表面波波导至少包括基底和压电薄膜，所述压电薄膜设置在所述基底上，所述压电薄膜的宽度不小于所述压电薄膜的厚度；所述压电薄膜包括压电材料；所述压电薄膜还包括脊状结构；所述压电薄膜具有脊状结构，所述压电薄膜的高度为所述脊状结构的高度，所述压电薄膜的宽度为所述脊状结构的宽度；所述脊状结构的横截面为梯形、三角形、长方形、正方形中的至少一种；压电薄膜的厚度不大于声表面波波长；所述压电薄膜的宽度大于等于压电薄膜的厚度；所述压电薄膜的厚度为不大于10μm，所述压电薄膜的宽度为0.1-20μm；所述压电材料选自AlN；所述基底为SiC；所述压电薄膜的延伸方向为所述压电薄膜在所述基底上的投影，所述声表面波沿所述压电薄膜的延伸方向传导；所述投影为直线结构、曲线结构或环形结构中的至少一种；所述曲线结构至少包括1个弯折；所述弯折的弯曲角度为30°-90°；所述弯折至少包括1个弧线；所述弧线的弯曲半径大于等于1μm；所述声表面波波导的工作频率范围为1GHz至10GHz；所述声表面波波导的有效工作带宽不小于40％；所述声表面波波导在小角度转弯时理论透过率至少为90％。
百度查询： 南京大学 基于氮化铝薄膜的声表面波脊状波导及集成器件
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