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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2024-06-04
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325262A
专利技术分类：
专利摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，在基底上在第一水平方向上在长度上延伸；水平半导体层，在鳍型有源区上；种子层，在鳍型有源区上并且与水平半导体层接触；栅极线，在鳍型有源区上围绕水平半导体层和种子层，并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上在长度上延伸；以及一对垂直半导体层，在鳍型有源区上分别在水平半导体层的在第一水平方向上的第一侧和第二侧上，水平半导体层在所述一对垂直半导体层之间，其中，所述一对垂直半导体层中的每个的内壁接触水平半导体层，并且所述一对垂直半导体层的上表面或下表面接触种子层。
专利权项：1.一种半导体装置，包括：鳍型有源区，在基底上在第一水平方向上在长度上延伸；水平半导体层，在鳍型有源区上；种子层，在鳍型有源区上并且与水平半导体层接触；栅极线，在鳍型有源区上围绕水平半导体层和种子层，并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上在长度上延伸；以及一对垂直半导体层，在鳍型有源区上分别在水平半导体层的在第一水平方向上的第一侧和第二侧上，并且水平半导体层在所述一对垂直半导体层之间，其中，所述一对垂直半导体层中的每个的内壁接触水平半导体层，并且所述一对垂直半导体层的上表面或下表面接触种子层。
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