龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日：2024-01-15
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325271A
专利技术分类：
专利摘要：实施方式涉及半导体装置。沟槽构造部具有：场板电极；第一绝缘膜，其设于场板电极与半导体层之间；第二绝缘膜，其设于场板电极上，向比第一绝缘膜靠近半导体层的第一面的一侧延伸突出；以及栅极电极，其具有设于第二绝缘膜上的第一部分和设于第一绝缘膜上且比第一部分厚的第二部分。栅极接触部从栅极配线层向第二部分延伸突出而与第二部分相接，且不位于第一部分与栅极配线层之间。在第二方向上，第一部分位于栅极接触部与第二部分相接的下端部的相邻处。
专利权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体层，其具有第一面和在第一方向上位于所述第一面的相反侧的第二面；沟槽构造部，其从所述第一面沿所述第一方向延伸；栅极配线层，其设于所述第一面上及所述沟槽构造部上；以及栅极接触部，其从所述栅极配线层向所述沟槽构造部延伸突出；所述沟槽构造部具有：场板电极；第一绝缘膜，其设于所述场板电极与所述半导体层之间；第二绝缘膜，其设于所述场板电极上，向比所述第一绝缘膜靠近所述第一面的一侧延伸突出；栅极电极，其具有设于所述第二绝缘膜上的第一部分和设于所述第一绝缘膜上并比所述第一部分厚的第二部分；以及第三绝缘膜，其设于所述栅极电极的所述第二部分与所述半导体层之间；所述栅极接触部从所述栅极配线层向所述第二部分延伸突出而与所述第二部分相接，且不位于所述第一部分与所述栅极配线层之间，在与所述第一方向正交的第二方向上，所述第一部分位于所述栅极接触部与所述第二部分相接的下端部的相邻处。
百度查询： 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号