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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2020-11-16
公开（公告）日：2021-02-26
公开（公告）号：CN112420730A
专利技术分类：
专利摘要：本申请提供了一种半导体工艺和半导体结构，该半导体工艺，包括：在衬底上形成交替的层叠结构，层叠结构包括交替设置的牺牲层和第一绝缘介质层；形成垂直贯穿层叠结构插入衬底的沟道结构和虚拟沟道结构；在沟道结构和虚拟沟道结构的底部形成外延层；在沟道结构和虚拟沟道结构内形成至少覆盖外延层的功能层；去除虚拟沟道结构的顶部位置的部分层叠结构；用第一保护层填充去除的层叠结构的部分；刻蚀填充第一保护层后的层叠结构，以至少部分去除沟道结构底部的功能层；去除第一保护层。该工艺避免了由于刻蚀得较深导致的漏电问题，保证了制作得到的半导体结构的性能较好。
专利权项：1.一种半导体工艺，其特征在于，包括：在衬底上形成交替的层叠结构，所述层叠结构包括交替设置的牺牲层和第一绝缘介质层；形成垂直贯穿所述层叠结构插入所述衬底的沟道结构和虚拟沟道结构；在所述沟道结构和所述虚拟沟道结构的底部形成外延层；在所述沟道结构和所述虚拟沟道结构内形成至少覆盖所述外延层的功能层；去除所述虚拟沟道结构的顶部位置的部分所述层叠结构；用第一保护层填充去除的所述层叠结构的部分；刻蚀填充第一保护层后的所述层叠结构，以至少部分去除所述沟道结构底部的所述功能层；去除所述第一保护层。
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体工艺和半导体结构
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