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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日：2024-01-09
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325265A
专利技术分类：
专利摘要：实施方式涉及半导体装置及其制造方法。栅极电极具有与半导体层的台面部的侧面中的至少包含第二半导体部的区域对置的第一侧面部、在第二方向上位于第一侧面部的相反侧的第二侧面部、相对于第一侧面部及第二侧面部倾斜且将第一侧面部与第二侧面部连接的底部、位于第一侧面部与底部之间的第一角部和位于第二侧面部与底部之间的第二角部。若将通过第一角部且沿第一方向延伸的直线设为第一直线，将通过第一角部和第二角部的直线设为第二直线，则第一直线与第二直线所成的角度为60°以下。
专利权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体层，其具有第一导电型的第一半导体部、设于所述第一半导体部上的第二导电型的第二半导体部和设于所述第二半导体部上的第一导电型的第三半导体部，且具有包含所述第一半导体部的一部分、所述第二半导体部及所述第三半导体部并沿第一方向延伸的台面部；栅极电极，其与所述台面部的侧面对置；以及第一绝缘部，其设于所述栅极电极与所述台面部的所述侧面之间；所述栅极电极具有：第一侧面部，其与所述台面部的所述侧面中的至少包含所述第二半导体部的区域对置；第二侧面部，其在与所述第一方向正交的第二方向上位于所述第一侧面部的相反侧；底部，其相对于所述第一侧面部及所述第二侧面部倾斜，且将所述第一侧面部与所述第二侧面部连接；第一角部，其位于所述第一侧面部与所述底部之间；以及第二角部，其位于所述第二侧面部与所述底部之间；若将通过所述第一角部且沿所述第一方向延伸的直线设为第一直线，将通过所述第一角部和所述第二角部的直线设为第二直线，则所述第一直线与所述第二直线所成的角度为60°以下。
百度查询： 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置及其制造方法
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