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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2023-07-17
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325234A
专利技术分类：...沟道具有垂直部分的，例如，U形沟道[2023.01]
专利摘要：本公开提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，用于提高三维存储器的编程速度，同时降低读取干扰。一种三维存储器，所述三维存储器包括：叠层结构和沟道结构。叠层结构包括交替层叠的多个栅极层和多个栅介质层；沟道结构贯穿所述叠层结构。所述沟道结构包括依次层叠的阻挡层、捕获层、隧穿层和沟道层；其中，所述隧穿层的介电常数小于所述捕获层的介电常数。上述三维存储器用于实现数据的读取和写入操作。
专利权项：1.一种三维存储器，其特征在于，所述三维存储器包括：叠层结构，包括交替层叠的多个栅极层和多个栅介质层；贯穿所述叠层结构的沟道结构，所述沟道结构包括依次层叠的阻挡层、捕获层、隧穿层和沟道层；其中，所述隧穿层的介电常数小于所述捕获层的介电常数。
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备
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