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半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统专利

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申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司

申请日:2023-07-12

公开(公告)日:2025-01-17

公开(公告)号:CN119324190A

专利技术分类:..阻抗装置[2006.01]

专利摘要:本申请提供一种半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统,半导体器件包括:铁电层组,包括沿第一方向交叠设置的多个铁电层及至少一介质层,介质层间隔于相邻铁电层之间,至少一铁电层的材料包括铁电材料,介质层的材料与铁电层的材料相异,本申请提供的半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统,通过介质层间隔于相邻的铁电层之间,介质层阻断了由铁电层的氧空位或晶界构成的电流泄漏通道,改善了半导体器件的可靠性。

专利权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:铁电层组,包括沿第一方向交叠设置的多个铁电层及至少一介质层;其中,所述介质层间隔于相邻所述铁电层之间;至少一所述铁电层的材料包括铁电材料,所述介质层的材料与所述铁电层的材料相异。

百度查询: 长江存储科技有限责任公司 半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统

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