龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日：2023-07-12
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325245A
专利技术分类：
专利摘要：本发明实施例提供了一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制备方法及绝缘栅双极型晶体管IGBT，本申请实施例通过只在沟槽的内壁沉积多晶硅，这样可以使距离沟槽底部预设距离的衬底中形成具有第二掺杂类型的第三注入区，进而提高IGBT的耐压；同时在具有第一掺杂类型的第二注入区形成第三注入区，也就是说，第三注入区面积较大，且第三注入区都是在接触孔打开前注入，所以不会因为由于接触孔打开区域比较小，光刻过程中容易偏移，会使接触孔两侧大小不同，影响阈值电压以及大电流的均匀性。
专利权项：1.一种绝缘栅双极型晶体管IGBT制备方法，其特征在于，包括：在具有第一惨杂类型的衬底上形成具有第一惨杂类型的第一注入区，随后在第一注入区中形成第二注入区，其中，第一注入区掺杂浓度与第二注入区的掺杂浓度不同；在衬底上刻蚀多个间隔设置的沟槽，所述沟槽从上到下贯穿第二注入区和第一注入区直到所述沟槽的底部设置至衬底中；在沟槽的内壁上依次生长牺牲氧化层、去除牺牲氧化层和生长栅极氧化层；在沟槽的内壁上沉积多晶硅；在具有第一掺杂类型的第二注入区中和距离沟槽底部预设距离的衬底中形成具有第二掺杂类型的第三注入区；在具有第二注入区的第三注入区中形成具有第一掺杂类型的第四注入区，其中，第三注入区和第四注入区的掺杂浓度大于第一注入区和第二注入区的掺杂浓度；在衬底上表面和沟槽中沉积介质层；在沟槽之间刻蚀接触孔，直到接触孔的底部设置在第二注入区中的第三注入区中；在接触孔中填充金属。
百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种绝缘栅双极型晶体管IGBT的制备方法及绝缘栅双极型晶体管IGBT
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号