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申请/专利权人：苏州聚谦半导体有限公司
申请日：2023-07-12
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325254A
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开了一种自对准离子植入MOSFET及制造方法，包括：在衬底上形成具有漂移区和体区的半导体层，在体区中形成多个第一离子植入区，在每个第一离子植入区上的半导体层表面上形成一对第一侧墙，在每对第一侧墙之间形成穿过第一离子植入区的沟槽栅，在相邻两对第一侧墙之间的半导体层中形成自对准相接于相邻两个第一离子植入区之间的第一离子植入区接触沟槽和第二离子植入区，可通过一对第一侧墙的外侧侧面之间距离和第一离子植入区接触沟槽的宽度调整第一离子植入区的宽度，和通过第一离子植入区接触沟槽的宽度调整第二离子植入区的宽度。本发明能减少光罩，消除套刻误差，缩小器件面积，减小短路电阻，改善了器件性能。
专利权项：1.一种自对准离子植入MOSFET，其特征在于，包括：设于衬底上的半导体层，所述半导体层中自表面向所述衬底方向依次设有体区和漂移区，所述体区中设有沿所述半导体层表面分布的多个第一离子植入区；设于每个所述第一离子植入区上方的所述半导体层表面上的一对第一侧墙；设于每对所述第一侧墙之间的所述半导体层中且穿过对应一个所述第一离子植入区的沟槽栅；设于相邻两对所述第一侧墙之间的所述半导体层表面上并自对准相接于相邻两个所述第一离子植入区之间的第一离子植入区接触沟槽；设于相邻两对所述第一侧墙之间的所述半导体层表面以下并自对准相接于相邻两个所述第一离子植入区之间的第二离子植入区；其中，沿所述半导体层表面方向上，所述第一离子植入区的宽度基于一对所述第一侧墙的外侧侧面之间距离和所述第一离子植入区接触沟槽的宽度调整，所述第二离子植入区的宽度基于所述第一离子植入区接触沟槽的宽度调整。
百度查询： 苏州聚谦半导体有限公司 自对准离子植入MOSFET及制造方法
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