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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2023-05-17
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325746A
专利技术分类：
专利摘要：一种半导体结构及其制作方法、存储器及存储器系统，该方法包括：形成贯穿第一区域和第二区域中堆叠层的多个电容孔；在电容孔内壁上形成第一电极层；在堆叠层的一侧形成介电层；去除第二区域中的至少部分介电层；形成第二电极层，第一区域和第二区域中的第二电极层间隔设置，第二区域中的第一电极层和第二电极层连接。
专利权项：一种半导体结构的制作方法，其中，包括：形成沿堆叠方向贯穿堆叠层的多个电容孔，所述堆叠层包括第一区域和第二区域，所述电容孔位于所述第一区域和所述第二区域中；在所述电容孔内壁上形成第一电极层；在所述第一区域和所述第二区域中的所述堆叠层的一侧形成介电层；去除所述第二区域中的至少部分所述介电层；在所述第一区域和所述第二区域中形成第二电极层，所述第一区域中的所述第二电极层和所述第二区域中的所述第二电极层间隔设置，所述第二区域中的所述第一电极层和所述第二电极层连接。
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体结构及其制作方法、存储器及存储器系统
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