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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2023-05-15
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325747A
专利技术分类：...沟道具有垂直部分的，例如，U形沟道[2023.01]
专利摘要：一种半导体结构及其制作方法、及存储器系统，该方法包括：形成堆叠层和沟道结构，沟道结构包括沟道层和插塞结构，插塞结构位于沟道层靠近第一表面的一侧，且包括暴露出的表面；对暴露出的表面进行氧化处理，形成氧化物；在第一表面上形成上选择栅极层；形成沿堆叠方向贯穿上选择栅极层且延伸至插塞结构的上选择沟道结构。
专利权项：一种半导体结构的制作方法，其包括：形成堆叠层和沟道结构，所述堆叠层包括第一表面，所述沟道结构沿堆叠方向贯穿所述堆叠层，且包括沟道层、以及和所述沟道层电连接的插塞结构；所述插塞结构位于所述沟道层靠近所述第一表面的一侧，且包括暴露出的表面；对所述暴露出的表面进行氧化处理，以在所述暴露出的表面上形成氧化物，所述氧化物背离所述插塞结构一侧的表面突出于所述第一表面；在所述第一表面上形成上选择栅极层，所述上选择栅极层覆盖所述氧化物；形成上选择沟道结构，所述上选择沟道结构沿所述堆叠方向贯穿所述上选择栅极层且延伸至所述插塞结构。
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体结构及其制作方法、及存储器系统
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