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申请/专利权人：胜高股份有限公司
申请日：2015-05-21
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119324151A
专利技术分类：......产生离子注入的[2006.01]
专利摘要：本发明的目的在于提供外延层的结晶性优越的半导体外延晶片。本发明的半导体外延晶片是在半导体晶片10的表面10A上形成有外延层20的半导体外延晶片100，其特征在于，在半导体晶片10的形成有外延层20的一侧的表层部存在利用SIMS分析检测出的氢浓度分布的峰值。
专利权项：1.一种外延晶片，包括：具有第一表面的硅晶片；和在所述第一表面上的外延层，所述外延层具有第二表面，所述外延层具有TO线强度分布，TO线强度分布具有比所述第二表面更靠近所述第一表面的峰值。
百度查询： 胜高股份有限公司 半导体外延晶片和其制造方法及固体摄像元件的制造方法
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