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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日：2023-07-20
公开（公告）日：2025-01-21
公开（公告）号：CN119342808A
专利技术分类：
专利摘要：本公开涉及一种半导体结构、存储单元及其制备方法、存储器及电子设备，半导体结构包括有源柱、第一栅极和第二栅极；有源柱位于衬底内且沿垂直于衬底的方向延伸；有源柱的顶面具有沿其轴线方向向有源柱的底面延伸的第一容置孔；第一栅极填充第一容置孔；第二栅极位于有源柱的外侧壁。能够增强栅控能力，提升存储密度。
专利权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：有源柱，位于衬底内且沿垂直于所述衬底的方向延伸；所述有源柱的顶面具有沿其轴线方向向底面延伸的第一容置孔；第一栅极，填充所述第一容置孔；第二栅极，位于所述有源柱的外侧壁。
百度查询： 北京超弦存储器研究院 半导体结构、存储单元及其制备方法、存储器及电子设备
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