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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2023-07-21
公开（公告）日：2025-01-21
公开（公告）号：CN119332339A
专利技术分类：
专利摘要：本申请实施例提供了一种单晶生长装置及半导体工艺设备，涉及半导体工艺技术领域，其中，所述单晶生长装置包括：坩埚桶和盖体组件；所述坩埚桶的一端设置有开口，所述盖体组件用于盖设于所述开口处；所述盖体组件包括相连接的坩埚盖和籽晶托，所述籽晶托的顶部的目标面与所述坩埚盖的底面相对且间隔设置，所述目标面与所述坩埚盖的底面之间围设有预设高度的密封空间。所述单晶生长装置用于降低生长出的晶体的裂片率。
专利权项：1.一种单晶生长装置100，其特征在于，包括：坩埚桶110和盖体组件120；所述坩埚桶110的一端设置有开口111，所述盖体组件120用于盖设于所述开口111处；所述盖体组件120包括相连接的坩埚盖121和籽晶托122，所述籽晶托122的顶部的目标面与所述坩埚盖121的底面相对且间隔设置，所述目标面与所述坩埚盖121的底面之间围设有预设高度的密封空间123。
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 单晶生长装置及半导体工艺设备
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