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申请/专利权人：无锡市华辰芯光半导体科技有限公司
申请日：2024-12-04
公开（公告）日：2025-01-21
公开（公告）号：CN119340786A
专利技术分类：.用于控制光波导的半导体的结构或形状[2006.01]
专利摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种带有应变层的半导体激光器结构，包括外延结构层和衬底，外延结构层包括缓冲层，缓冲层的材料为砷化镓，缓冲层远离衬底的一侧设有应变层，应变层的材料为AlxGa1‑xInyP，其中，0x1，0y0.48。本申请具有改善激光器外延结构压应力大，导致翘曲严重的缺陷的效果。
专利权项：1.一种带有应变层的半导体激光器结构，包括外延结构层和衬底9，其特征在于：所述外延结构层包括缓冲层8，所述缓冲层8的材料为砷化镓，所述缓冲层8远离衬底9的一侧设有应变层7，所述应变层7的材料为AlxGa1-xInyP，其中，0x1，0y0.48。
百度查询： 无锡市华辰芯光半导体科技有限公司 一种带有应变层的半导体激光器结构
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