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申请/专利权人:江西联创光电超导应用有限公司;宁夏盈谷实业股份有限公司
申请日:2024-12-10
公开(公告)日:2025-01-21
公开(公告)号:CN119336101A
专利技术分类:..具有影响传感元件的辅助加热装置的自动控制器,例如,预测温度变化的[2006.01]
专利摘要:本发明涉及晶体生长技术领域,公开了一种基于机器学习的晶体生长过程优化控制系统及方法,包括:差异检测模块,用于获取当前晶体生长图像的晶体轮廓,得到晶体生长差异度;模型建立模块,用于获取历史晶体生长数据,根据历史晶体生长数据建立生长形态参数预测模型;形态预测模块,用于将当前晶体生长差异度输入生长形态参数预测模型,得到当前晶体的预测生长形态参数;温度设定模块,用于根据当前晶体的预测生长形态参数确定生长所需温度,根据历史晶体生长数据对生长所需温度进行修正。通过建立生长形态参数预测模型对晶体生长形态进行预测,从而得到晶体生长所需的最佳温度,提升晶体生长质量。
专利权项:1.一种基于机器学习的晶体生长过程优化控制系统,其特征在于,包括:差异检测模块,用于获取当前晶体生长图像的晶体轮廓,根据晶体轮廓确定晶体的形状规则度,得到第一晶体差异度;获取前一预设周期的晶体轮廓,计算当前晶体轮廓与前一预设周期的晶体轮廓各个方向上的距离值,获取各距离值与平均距离值的差值,根据各距离值与平均距离值的差值确定第二晶体差异度,将第一晶体差异度与第二晶体差异度相乘,得到晶体生长差异度;模型建立模块,用于获取历史晶体生长数据,根据历史晶体生长数据建立生长形态参数预测模型;形态预测模块,用于将当前晶体生长差异度输入生长形态参数预测模型,得到当前晶体的预测生长形态参数;温度设定模块,用于根据当前晶体的预测生长形态参数确定生长所需温度,根据历史晶体生长数据对生长所需温度进行修正。
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