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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
申请日：2024-12-20
公开（公告）日：2025-01-21
公开（公告）号：CN119342888A
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开了一种消除栅源横向交替结构的低阻超结结构及其制造方法，包括若干个相互并联的MOS元胞，单个MOS元胞包括漏极、上金属源极、栅极、半导体外延层、衬底层，P阱层、N阱层；相邻MOS元胞之间，蚀刻形成有沟槽，所述沟槽的底部沉积有氧化层，氧化层表面设有侧金属源极；侧金属源极的顶部与介质层接触；介质层为横向连续的介质层，所述栅极设于介质层的内部，相邻的栅极之间通过介质层隔离，不形成栅极源极交替结构，介质层的上表面设置上金属源极。本发明通过沟槽增加了重掺杂P阱层的注入深度，并且将源极欧姆接触埋设计在外延层内的垂直方向上，消除了器件中横向的栅源交替的结构，大幅降低元胞尺寸。
专利权项：1.一种消除栅源横向交替结构的低阻超结结构，包括若干个相互并联的MOS元胞，其特征在于单个所述MOS元胞从下到上依次包括漏极、衬底层、扩散层、介质层、栅极、上金属源极，所述扩散层位于衬底层表面，并通过离子注入形成有P阱层、N阱层；所述P阱层包括轻掺杂P阱层和重掺杂P阱层，其中，所述重掺杂P阱层延伸至扩散层底部并与衬底层接触；相邻MOS元胞之间，在重掺杂P阱层的中间，蚀刻形成有沟槽，所述沟槽的底部延伸或不延伸至衬底层，所述沟槽的底部沉积有氧化层，所述氧化层表面、沟槽的顶部，设有侧金属源极，所述侧金属源极的顶部与介质层接触，并且侧金属源极与上金属源极在器件主结附近进行引出接触；侧金属源极的侧面与N阱层、轻掺杂P阱层和重掺杂P阱层欧姆接触；所述介质层为横向连续的介质层，所述栅极设于介质层的内部，相邻的栅极之间通过介质层隔离，不形成栅极源极交替结构，介质层的上表面设置上金属源极。
百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种消除栅源横向交替结构的低阻超结结构及其制造方法
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